一种高温抗氧化的高熵氮化物薄膜及其制备、应用

    公开(公告)号:CN117187766A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311221943.2

    申请日:2023-09-21

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明公开了一种高温抗氧化的高熵氮化物薄膜及其制备、应用,高熵氮化物薄膜包括Nb、Mo、Ta、W、Al、N,其中Nb、Mo、Ta、W元素的原子百分比为2:2:1:1,Al元素的掺杂量为高熵氮化物薄膜原子总数的0‑30%,氮元素的含量为高熵氮化物薄膜原子总数的40‑45%,并通过磁控共溅射的方法在基片上沉积具有不同Al含量的高熵氮化物薄膜。本发明采用上述的一种高温抗氧化的高熵氮化物薄膜及其制备、应用,适量Al的加入不仅保留了薄膜的本征硬度,还提高了薄膜的高温抗氧化能力。

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