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公开(公告)号：CN102517626A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110417939.4
申请日：2011-12-14
Applicant: 吉林大学
Abstract: Mg4Nb2O9单晶体的光学浮区生长方法属于化合物晶体生长技术领域。现有Mg4Nb2O9单晶体尺寸小质量差。本发明将MgO和Nb2O5混合，在1250～1400℃温度下烧结20～40小时，得到Mg4Nb2O9多晶粉体；将该多晶粉体制成棒状，之后在1400～1550℃温度下烧结10～40小时，得到Mg4Nb2O9多晶棒；将该多晶棒作为喂料棒，在光学浮区炉中，喂料棒在上，晶种在下，二者对接，对接处为熔区；在3～4小时内升温至熔区出现液相，之后在30～60rpm范围内调整喂料棒、晶种的转速，在熔区内喂料棒形状稳定10～20分钟，之后开始生长Mg4Nb2O9单晶，生长速率为2～6mm/h，直到得到直径为0.6～1.0cm的Mg4Nb2O9单晶棒；在Mg4Nb2O9单晶相变点以上降温时的降温速度为30～40℃/h，在该相变点以下降温时的降温速度为100～400℃/h，直到常温。
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