-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116154081A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211356368.2
申请日：2022-11-01
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及发光材料技术领域，为了解决现有的钙钛矿纳米晶LED器件性能不佳的问题，公开了一种CsPb(BrI)3红光钙钛矿纳米晶LED器件的优化方法，包括利用正辛基膦酸：钾(OPA：K)对CsPb(Br/I)3钙钛矿纳米晶进行缺陷钝化处理，再在LED器件制备过程中用TAPC空穴传输层部分替代TCTA空穴传输层。本发明提升了CsPbI3纳米晶的光致发光量子产率，抑制了离子迁移，并通过对空穴传输层结构的调整，降低了器件的整体运行电压，进一步避免了高电场下的离子迁移，所制备的LED器件的光谱稳定性得到了巨大的提升。
-
公开(公告)号：CN115305570B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202210975039.X
申请日：2022-08-15
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及CsPb(Br/Cl)3纳米晶的制备技术领域，为了解决现有的CsPb(Br/Cl)3纳米晶的制备方法存在结晶度和发光色纯度低的问题，公开了双功能分子制备高效稳定CsPb(Br/Cl)3纳米晶的方法，包括。本发明得到的产物PLQY高达87％，远高于传统用氯化铅作为氯前驱体合成的CsPb(Br/Cl)3PeNCs，大大提高了器件的光谱稳定性；方法操作简单，耗时少，耗能低；本发明方法所制备的PFTS优化后的CsPb(Br/Cl)3纳米晶的样品形貌尺寸均一，结晶度高，发光色纯度高，光致发光量子效率高，稳定性高。
-
公开(公告)号：CN115666147A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211285676.0
申请日：2022-10-20
Applicant: 吉林大学
IPC: H10K50/115 , H10K77/10
Abstract: 本发明适用于钙钛矿发光二极管技术领域，提供了一种柔性钙钛矿发光二极管的制备方法，包括：制备油酸铯溶液；将碘化铅、碘化锌、油酸以及油胺倒入到装有十八烯的容器中，注入油酸铯溶液，充分反应；将反应产物离心提纯，得到锌合金化的CsPbI3量子点溶液；制备一次性纸基底；将一次性纸基底转移到真空腔内，通过热蒸发依次沉积TCTA、MoO3和Au层，即可得到所述柔性钙钛矿发光二极管。本发明操作简单，耗时少，制作成本低，制备得到的纸基底钙钛矿发光二极管具有高柔韧性、高发光效率、高操作稳定性。
-
公开(公告)号：CN115666148A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211356402.6
申请日：2022-11-01
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及发光材料技术领域，为了解决现有的以钙钛矿纳米晶材料作为发光层的发光器件的光电性质不佳的问题，公开了一种CsPbI3红光钙钛矿纳米晶LED器件的优化方法。本发明对CsPbI3钙钛矿纳米晶的光电性质及稳定性进行优化，提升了CsPbI3纳米晶的光致发光量子产率，增强了纳米晶的电荷传输能力，很大程度地抑制了离子迁移，实现了2731cd/m2(TPP)和3188cd/m2(DPB)的峰值亮度以及19.2％(TPP)和21.6％(DPB)的最大外量子效率，且器件的稳定性相比于未优化的提升了近十倍。
-
公开(公告)号：CN115305570A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210975039.X
申请日：2022-08-15
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及CsPb(Br/Cl)3纳米晶的制备技术领域，为了解决现有的CsPb(Br/Cl)3纳米晶的制备方法存在结晶度和发光色纯度低的问题，公开了双功能分子制备高效稳定CsPb(Br/Cl)3纳米晶的方法，包括。本发明得到的产物PLQY高达87％，远高于传统用氯化铅作为氯前驱体合成的CsPb(Br/Cl)3PeNCs，大大提高了器件的光谱稳定性；方法操作简单，耗时少，耗能低；本发明方法所制备的PFTS优化后的CsPb(Br/Cl)3纳米晶的样品形貌尺寸均一，结晶度高，发光色纯度高，光致发光量子效率高，稳定性高。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.012 seconds)
