公开(公告)号：CN106299160A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201611001115.8

申请日：2016-11-15

Applicant: 吉林大学

Inventor： 段羽 ,  李俊 ,  陈平 ,  韦梦竹 ,  陶冶 ,  赵毅

IPC: H01L51/56

CPC classification number: H01L51/0021 ,  H01L51/56

Abstract: 一种采用等离子体技术处理银纳米线并通过衬底转移制备OLED柔性电极的方法，属于有机光电子技术领域。首先配置银纳米线溶液，然后在硅片上旋涂银纳米线，得到银纳米线薄膜后，通过等离子体处理银纳米线薄膜，一方面除去了纳米线表面的PVP，一方面也改变了银纳米线的表面形貌；之后在硅片上旋涂光交联聚合物，使其完全覆盖银纳米线薄膜，用紫外灯照射后，使用手术刀将光交联聚合物与硅衬底分离，最终得到高电导率的银纳米线透明电极。本发明所述方法降低了银纳米线薄膜的表面粗糙度，提高了银纳米线薄膜表面的均匀性，所制备的OLED柔性电极在导电性上要优于传统的热处理方法得到的电极，而且更节省时间。