公开(公告)号：CN102709490A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210178915.2

申请日：2012-06-01

申请人： 吉林大学

发明人： 张健 ,  李传南 ,  张睿 ,  高志杨 ,  刘川 ,  赵毅

IPC分类号： H01L51/56

摘要： 本发明属于有机光电器件领域，具体涉及有机光电器件透明氧化物电极的一种处理方法，这是制作有机光电器件的一个工艺步骤，该方法可以提高有机光电器件的性能。其过程是先配置无机化合物LiClO4、NaClO4、NaMnO4、KClO4、RbClO4、RbMnO4、CsClO4、CsMnO4的去离子水溶液，然后将清洁处理的透明氧化物电极及其衬底浸入上述化合物的溶液中进行超声处理，取出后用去离子水冲掉电极表面残存溶液，烘干并进行紫外或等离子体处理。该方法成本低、操作简便，对器件的稳定性没有影响，可以大面积处理和批量处理，仅使用现有工业生产中的透明氧化物电极清洗设施即可完成。

公开(公告)号：CN102709475A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210179120.3

申请日：2012-06-01

申请人： 吉林大学

发明人： 李传南 ,  张健 ,  崔国宇 ,  高志杨 ,  刘川 ,  赵毅

IPC分类号： H01L51/10 ,  H01L51/52 ,  H01L51/44

CPC分类号： Y02E10/549

摘要： 本发明属于有机半导体器件技术领域，具体涉及一种应用碱金属铷化合物作为阴极缓冲层材料或电子注入层N型掺杂材料的有机半导体器件。碱金属铷化合物为RbBr、Rb2CO3、Rb2SO4、RbOH、RbNO3、RbClO4，RbCl、RbI、RbF等。本发明将Rb的化合物形成单一阴极缓冲层或与有机材料共掺杂制作在有机半导体器件中有机层和阴极之间，有效地增强了有机半导体器件的电子注入和传输，进而提高有机半导体器件的各项性能。