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公开(公告)号:CN110180509B
公开(公告)日:2021-08-24
申请号:CN201910438322.7
申请日:2019-05-24
Applicant: 吉林大学
IPC: B01J20/26 , B01J20/28 , B01J20/30 , C08F220/06 , C08F220/56 , C08F226/06 , C08F222/14 , G01N21/64
Abstract: 本发明涉及一种荧光分子印迹聚合物空心微球及其制备方法和应用,属于分子印迹聚合物技术领域。包括制备二氧化硅纳米粒子SiO2,制备二氧化硅表面接枝异硫氰酸荧光素SiO2@FITC‑APTES的聚合物;制备荧光分子印迹聚合物SiO2@FITC‑APTES@MIP,并将其蚀刻成空心荧光分子印迹聚合物FITC‑APTES@MIP。优点是:制备出能够快速高效特异性检测目标分析物且合成过程较为安全、环保的空心荧光分子印迹聚合物,具体表现为对目标分析物特异性吸附并产生荧光淬灭,在20min内有较为显著的淬灭效果,从而缩短检测时间。
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公开(公告)号:CN110180509A
公开(公告)日:2019-08-30
申请号:CN201910438322.7
申请日:2019-05-24
Applicant: 吉林大学
IPC: B01J20/26 , B01J20/28 , B01J20/30 , C08F220/06 , C08F220/56 , C08F226/06 , C08F222/14 , G01N21/64
Abstract: 本发明涉及一种荧光分子印迹聚合物空心微球及其制备方法和应用,属于分子印迹聚合物技术领域。包括制备二氧化硅纳米粒子SiO2,制备二氧化硅表面接枝异硫氰酸荧光素SiO2@FITC-APTES的聚合物;制备荧光分子印迹聚合物SiO2@FITC-APTES@MIP,并将其蚀刻成空心荧光分子印迹聚合物FITC-APTES@MIP。优点是:制备出能够快速高效特异性检测目标分析物且合成过程较为安全、环保的空心荧光分子印迹聚合物,具体表现为对目标分析物特异性吸附并产生荧光淬灭,在20min内有较为显著的淬灭效果,从而缩短检测时间。
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