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公开(公告)号：CN101475173A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910066464.1
申请日：2009-01-20
申请人： 吉林大学
IPC分类号： C01B33/02
摘要： 本发明属于复合结构表面的制备技术领域，具体涉及一种微米和纳米复合结构的超疏水抗反射硅表面的制备方法。包括硅片的清洁处理，在硅片的表面制作微米级硅岛及网格结构，以银或金纳米粒子为阻挡进行催化刻蚀，得到微米和纳米复合结构表面，及对复合结构表面进行化学修饰等步骤。利用本发明所述方法所制备的超疏水抗反射材料表面与水的静态接触角大于150°，水的静态滚动角小于3°。此表面抗反射性能优越，尤其在800nm到1100nm波长范围内的光反射率小于3％。应用本发明方法，可规模化生产微纳复合结构的超疏水抗反射硅表面，并可以广泛的应用于太阳能电池、微流体芯片、光电器件等方面，具有良好的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN101320209A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810050922.8
申请日：2008-07-07
申请人： 吉林大学
摘要： 本发明属于功能材料表面图案构筑技术，具体涉及一种表面导电聚合物图案的制备方法，其是利用旋涂或氧化聚合的方法在基底表面形成导电聚合物的薄膜，然后通过纳米压印将旋涂在导电聚合物薄膜上的聚合物阻挡层压印出图案，以该图案为掩膜进行均向刻蚀，从而在基底表面制备出结构尺寸可控的表面导电聚合物图案。该方法成功解决了高密度和高产量难以并行的难题，在此基础上，表面导电聚合物图案的分辨率较使用的模板提高数倍。具有成本低、效率高、技术成熟的特点，符合工业化标准，可以用于制造光学、电学、磁学、生物学器件，也可以用于传感器和可充放电电池的生产等，显著提高了导电聚合物等功能材料的应用能力。
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公开(公告)号：CN101308219A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810050888.4
申请日：2008-06-27
申请人： 吉林大学
摘要： 本发明属于表面图案化微结构构筑技术，涉及利用自组装技术与反应离子束刻蚀技术相结合，在基底上构筑具有抗反射性能的微结构的方法。其是以单层聚合物微球、二氧化硅微球、金属或金属氧化物的纳米粒子为阻挡层，对基底进行RIE刻蚀，这样就在基底上构造出类似锥形的微结构，该结构具有极高的抗反射性能，进而有效的提高了光能利用率，降低光学系统中杂光的干扰和提高光学的透过率，从而提高光学系统的灵敏度和稳定性，可用于构筑大面积的抗反射结构。本发明所述方法具有操作简单、基底可变、适用性强、重复性好、成本低、效率高、抗反射的适用波长可调、符合工业化标准等特点，可以用于太阳能电池、白光传感器等光电器件的制作。
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公开(公告)号：CN101308219B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200810050888.4
申请日：2008-06-27
申请人： 吉林大学
摘要： 本发明属于表面图案化微结构构筑技术，涉及利用自组装技术与反应离子束刻蚀技术相结合，在基底上构筑具有抗反射性能的微结构的方法。其是以单层聚合物微球、二氧化硅微球、金属或金属氧化物的纳米粒子为阻挡层，对基底进行RIE刻蚀，这样就在基底上构造出类似锥形的微结构，该结构具有极高的抗反射性能，进而有效的提高了光能利用率，降低光学系统中杂光的干扰和提高光学的透过率，从而提高光学系统的灵敏度和稳定性，可用于构筑大面积的抗反射结构。本专利所述方法具有操作简单、基底可变、适用性强、重复性好、成本低、效率高、抗反射的适用波长可调、符合工业化标准等特点，可以用于太阳能电池、白光传感器等光电器件的制作。
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