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公开(公告)号：CN103454670A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201210179514.9
申请日：2012-06-01
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G01T3/00
CPC分类号： G01T3/00
摘要： 本发明提供了一种中子探测器，该中子探测器包括中子慢化体，设置在中体慢化体中的3He中子管，以及设置在中子慢化体的端部的前置放大器组件。该中子探测器是一种小型的、高灵敏的中子探测器，其配备了高灵敏的3He中子管和低噪声放大器组件，并在工艺上采取各种有效的措施，把干扰噪声抑制在较低的幅度，有效地解决了干扰噪声引起的误报警问题。
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公开(公告)号：CN104934087A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510324504.3
申请日：2015-06-12
申请人： 同方威视技术股份有限公司
摘要： 一种闪烁体非探测面的铅屏蔽结构，所述闪烁体具有探测面、与探测面相对的底面、四个侧面，所述铅屏蔽结构包括：一个底面铅板部，构造成布置在闪烁体的底面上；四个侧面铅板部，构造成分别布置在闪烁体的四个侧面上，其中：上述五个铅板部中的至少一个铅板部为边缘具有L形的台阶面的带阶面铅板部；所述带阶面铅板部的台阶面与相邻接的铅板部之间的配合面包括直角平面。本发明还涉及一种闪烁体探测器的壳体组件、一种闪烁体探测器和一种放射线探测设备。
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公开(公告)号：CN104934087B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201510324504.3
申请日：2015-06-12
申请人： 同方威视技术股份有限公司
摘要： 一种闪烁体非探测面的铅屏蔽结构，所述闪烁体具有探测面、与探测面相对的底面、四个侧面，所述铅屏蔽结构包括：一个底面铅板部，构造成布置在闪烁体的底面上；四个侧面铅板部，构造成分别布置在闪烁体的四个侧面上，其中：上述五个铅板部中的至少一个铅板部为边缘具有L形的台阶面的带阶面铅板部；所述带阶面铅板部的台阶面与相邻接的铅板部之间的配合面包括直角平面。本发明还涉及一种闪烁体探测器的壳体组件、一种闪烁体探测器和一种放射线探测设备。
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公开(公告)号：CN104898152A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510324844.6
申请日：2015-06-12
申请人： 同方威视技术股份有限公司
摘要： 一种将光电倍增管固定到闪烁体探测器的壳体上的方法，所述壳体上设置有遮光罩，遮光罩限定了供光电倍增管的一端插入的开口，所述方法包括如下步骤：在遮光罩上套设连接法兰以及将连接法兰的一端固定到所述壳体上；将光电倍增管的一端插入到遮光罩内而与闪烁体实现面耦合；将套管套装在光电倍增管上，且套管的一端固定在连接法兰上；和在套管的另一端设置压帽，利用该压帽朝向闪烁体按压套管内的所述光电倍增管。由于光电倍增管与套管分别安装而不是两者一体地安装到壳体上，所以避免了光电倍增管没有与闪烁体面耦合的问题。本发明还涉及一种将光电倍增管固定到闪烁体探测器的壳体上的装置。
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公开(公告)号：CN104898152B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201510324844.6
申请日：2015-06-12
申请人： 同方威视技术股份有限公司
摘要： 一种将光电倍增管固定到闪烁体探测器的壳体上的方法，所述壳体上设置有遮光罩，遮光罩限定了供光电倍增管的一端插入的开口，所述方法包括如下步骤：在遮光罩上套设连接法兰以及将连接法兰的一端固定到所述壳体上；将光电倍增管的一端插入到遮光罩内而与闪烁体实现面耦合；将套管套装在光电倍增管上，且套管的一端固定在连接法兰上；和在套管的另一端设置压帽，利用该压帽朝向闪烁体按压套管内的所述光电倍增管。由于光电倍增管与套管分别安装而不是两者一体地安装到壳体上，所以避免了光电倍增管没有与闪烁体面耦合的问题。本发明还涉及一种将光电倍增管固定到闪烁体探测器的壳体上的装置。
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公开(公告)号：CN106772534A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611255898.2
申请日：2016-12-29
申请人： 同方威视技术股份有限公司
CPC分类号： G01T1/167 , G01T1/2023 , G01T1/2033
摘要： 本发明公开了栅型双闪烁晶体探测器和监测设备。栅型双闪烁晶体探测器包括：壳体，包括流体入口和流体出口，流体入口和流体出口配置成以便流体自流体入口流入所述壳体，从流体出口流出所述壳体；多个双闪烁晶体，配置在所述壳体内用于通过接触流体以便流体内的物质激励所述多个双闪烁晶体发出光子；至少一个光电倍增管，用于收集双闪烁晶体发出的光子并发出信号；其中，所述多个双闪烁晶体沿流体入口朝向流体出口的方向的大体横向方向延伸并且相互间隔开。
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公开(公告)号：CN102545789A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010620827.4
申请日：2010-12-31
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： H03F1/26
摘要： 本发明提供了一种用于弱信号的前置放大器，包括：电压滤波电路，对电压进行滤波以产生偏置电压；放大电路，对通过所述偏置电压偏置的输入信号进行放大以产生放大信号，其中：所述电压滤波电路和所述放大电路集成在一块电路板上。该前置放大器可以用于中子探测器输出信号的放大。
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公开(公告)号：CN202600157U
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201220257770.0
申请日：2012-06-01
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G01T3/00
摘要： 本实用新型提供了一种中子探测器，该中子探测器包括中子慢化体，设置在中体慢化体中的3He中子管，以及设置在中子慢化体的端部的前置放大器组件。该中子探测器是一种小型的、高灵敏的中子探测器，其配备了高灵敏的3He中子管和低噪声放大器组件，并在工艺上采取各种有效的措施，把干扰噪声抑制在较低的幅度，有效地解决了干扰噪声引起的误报警问题。
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公开(公告)号：CN206348464U
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201621476773.8
申请日：2016-12-29
申请人： 同方威视技术股份有限公司
摘要： 本实用新型公开了栅型双闪烁晶体探测器和监测设备。栅型双闪烁晶体探测器包括：壳体，包括流体入口和流体出口，流体入口和流体出口配置成以便流体自流体入口流入所述壳体，从流体出口流出所述壳体；多个双闪烁晶体，配置在所述壳体内用于通过接触流体以便流体内的物质激励所述多个双闪烁晶体发出光子；至少一个光电倍增管，用于收集双闪烁晶体发出的光子并发出信号；其中，所述多个双闪烁晶体沿流体入口朝向流体出口的方向的大体横向方向延伸并且相互间隔开。
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公开(公告)号：CN201937546U
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201020696426.2
申请日：2010-12-31
申请人： 同方威视技术股份有限公司
摘要： 本实用新型提供了一种用于弱信号的前置放大器，包括：电压滤波电路，对电压进行滤波以产生偏置电压；放大电路，所述电压滤波电路的输出耦合到所述放大电路的输入，所述放大电路对通过所述偏置电压偏置的输入信号进行放大以产生放大信号，其特征在于：所述电压滤波电路和所述放大电路集成在一块电路板上。该前置放大器可以用于中子探测器输出信号的放大。
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