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公开(公告)号：CN102183776B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201010621615.8
申请日：2008-05-09
申请人： 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC分类号： G01T1/185
摘要： 一种气体辐射探测器，包括：电极对，该电极对包括多个子电极对，所述多个子电极对沿射线的入射方向排列。所述多个子电极对分别探测不同能区的射线。当前的发明在同一个气体室内实现了多能射线同时测量的功能，材料成本低，几何结构简单，操作方便，使用寿命长，可根据应用的射线能量区间来灵活调整气体种类和压力，以达到高的探测效率，解决了双能固体探测器的低能探测器太薄，不易制备的难题，而且同一气体室保证了各路信号的一致性高，后续数据处理简单。该发明可以广泛应用于辐射成像领域。
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公开(公告)号：CN101576516B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200810106280.9
申请日：2008-05-09
申请人： 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC分类号： G01N23/083 , G01N23/04
CPC分类号： G01T1/185
摘要： 一种气体辐射探测器，包括：电极对，该电极对包括多个子电极对，所述多个子电极对沿射线的入射方向排列。当前的发明在同一个气体室内实现了多能射线同时测量的功能，材料成本低，几何结构简单，操作方便，使用寿命长，可根据应用的射线能量区间来灵活调整气体种类和压力，以达到高的探测效率，解决了双能固体探测器的低能探测器太薄，不易制备的难题，而且同一气体室保证了各路信号的一致性高，后续数据处理简单。该发明可以广泛应用于辐射成像领域。
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公开(公告)号：CN102183776A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201010621615.8
申请日：2008-05-09
申请人： 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC分类号： G01T1/185
摘要： 一种气体辐射探测器，包括：电极对，该电极对包括多个子电极对，所述多个子电极对沿射线的入射方向排列。所述多个子电极对分别探测不同能区的射线。当前的发明在同一个气体室内实现了多能射线同时测量的功能，材料成本低，几何结构简单，操作方便，使用寿命长，可根据应用的射线能量区间来灵活调整气体种类和压力，以达到高的探测效率，解决了双能固体探测器的低能探测器太薄，不易制备的难题，而且同一气体室保证了各路信号的一致性高，后续数据处理简单。该发明可以广泛应用于辐射成像领域。
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公开(公告)号：CN101576516A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200810106280.9
申请日：2008-05-09
申请人： 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC分类号： G01N23/083 , G01N23/04
CPC分类号： G01T1/185
摘要： 一种气体辐射探测器，包括：电极对，该电极对包括多个子电极对，所述多个子电极对沿射线的入射方向排列。当前的发明在同一个气体室内实现了多能射线同时测量的功能，材料成本低，几何结构简单，操作方便，使用寿命长，可根据应用的射线能量区间来灵活调整气体种类和压力，以达到高的探测效率，解决了双能固体探测器的低能探测器太薄，不易制备的难题，而且同一气体室保证了各路信号的一致性高，后续数据处理简单。该发明可以广泛应用于辐射成像领域。
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公开(公告)号：CN118207627A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410460508.3
申请日：2024-04-17
申请人： 清华大学 , 苏州清研半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及晶体生长技术领域，特别涉及一种碳化硅晶体及其生长方法和坩埚，这种方法包括将包含原料硅的含硅原料容置于容置件，将碳化硅籽晶设置于承载件，含硅原料在保护气体的保护下熔融生成含硅熔体，碳原料和籽晶均与含硅熔体接触，并在二者间施加第一电压，使碳原料的电势低于籽晶的电势，含硅熔体内形成第一电流密度的电流。在预设温度下以预设速度提拉籽晶，得到预设厚度的碳化硅晶体。坩埚包括容置件、承载件和导线，容置件盛放部分含硅熔体且部分由碳原料构造承载件具有导电性且带动籽晶与含硅熔体接触或分离，导线分别连接于容置件和承载件，用于形成经过含硅熔体的电流。电场相较于温度可控性较好，有助于提高碳化硅晶体良率。
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公开(公告)号：CN118147754A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410460511.5
申请日：2024-04-17
申请人： 苏州清研半导体科技有限公司 , 清华大学
摘要： 本发明涉及碳化硅单晶生产技术领域，特别涉及一种长晶熔体、碳化硅单晶的制备方法和碳化硅单晶，其中长晶熔体包括单质碳和混合溶剂。混合溶剂包括熔融状态的单质硅和助溶剂，且单质碳在预设温度下溶于混合溶剂形成饱和状态的长晶熔体，此时长晶熔体中的硅碳活度比aSi/aC为30‑40中的任一值，应用这种长晶熔体进行碳化硅单晶的生长，得到的碳化硅晶体溶剂夹杂和多晶夹杂较低，可以稳定生长具有较高质量的碳化硅单晶。
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公开(公告)号：CN118932487A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411346139.1
申请日：2024-09-25
申请人： 清华大学
摘要： 本发明涉及一种碳化硅单晶的制备方法和碳化硅单晶。本发明中通过使用籽晶的(_110_2)或(_110_1)面作为晶体生长面并且使籽晶与硅‑过渡金属单质‑铝单质高温溶液的液面接触进行晶体生长，使得碳化硅晶体在快速生长过程中始终界面保持光滑，减少了晶体内助溶剂包裹缺陷，增大了晶体厚度，同时获得了较高的P型载流子掺杂浓度。
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