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公开(公告)号：CN108919398A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810548515.3
申请日：2018-05-31
申请人： 同济大学
摘要： 本发明涉及一种二维原子光刻栅格结构制备方法，包括以下步骤：基于原子光刻技术在基板上进行第一次原子光刻，得到一维原子光刻沉积光栅样板；利用光阑的限位作用，保持会聚光指向与光栅样板的平面法向量指向不变，将光栅样板旋转角度θ；调整会聚光形成的驻波场空间高度使其与金属原子束待沉积区域存在重叠部分，在沉积光栅样板上进行第二次原子光刻，形成二维原子光栅菱形栅格结构，且菱形的其中一个内角与旋转角度相等。与现有单次沉积方法相比，本发明克服了二维激光冷却和二维光学势阱效果难以保证的问题，化繁为简，具备操作方便，栅格角度可控等优点。
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公开(公告)号：CN108919397B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201810548512.X
申请日：2018-05-31
申请人： 同济大学
摘要： 本发明涉及一种用于实现分步沉积型二维原子光刻的装置，包括第一反射镜、第二反射镜和机械固定机构，第一反射镜和第二反射镜垂直粘合构成垂直反射镜组，所述机械固定机构包括第一结构件、第二结构件、第三结构件和第四结构件，第一结构件、第二结构件、第三结构件和第四结构件构成一可容纳垂直反射镜组的框架，且该框架留有用于穿过原子束和会聚光的空间。与现有技术相比，本发明将二维原子光刻栅格夹角溯源至垂直反射镜组的垂直夹角，确保了栅格结构的正交性，并控制二维原子光刻分步沉积过程中驻波场切光的平行性，确保了光刻栅格结构的一致性与均匀性，可实现分步沉积型原子光刻技术制备非正交性误差小于0.01度的二维原子光刻栅格结构。
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公开(公告)号：CN108919398B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201810548515.3
申请日：2018-05-31
申请人： 同济大学
摘要： 本发明涉及一种二维原子光刻栅格结构制备方法，包括以下步骤：基于原子光刻技术在基板上进行第一次原子光刻，得到一维原子光刻沉积光栅样板；利用光阑的限位作用，保持会聚光指向与光栅样板的平面法向量指向不变，将光栅样板旋转角度θ；调整会聚光形成的驻波场空间高度使其与金属原子束待沉积区域存在重叠部分，在沉积光栅样板上进行第二次原子光刻，形成二维原子光栅菱形栅格结构，且菱形的其中一个内角与旋转角度相等。与现有单次沉积方法相比，本发明克服了二维激光冷却和二维光学势阱效果难以保证的问题，化繁为简，具备操作方便，栅格角度可控等优点。
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公开(公告)号：CN108919397A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810548512.X
申请日：2018-05-31
申请人： 同济大学
摘要： 本发明涉及一种用于实现分步沉积型二维原子光刻的装置，包括第一反射镜、第二反射镜和机械固定机构，第一反射镜和第二反射镜垂直粘合构成垂直反射镜组，所述机械固定机构包括第一结构件、第二结构件、第三结构件和第四结构件，第一结构件、第二结构件、第三结构件和第四结构件构成一可容纳垂直反射镜组的框架，且该框架留有用于穿过原子束和会聚光的空间。与现有技术相比，本发明将二维原子光刻栅格夹角溯源至垂直反射镜组的垂直夹角，确保了栅格结构的正交性，并控制二维原子光刻分步沉积过程中驻波场切光的平行性，确保了光刻栅格结构的一致性与均匀性，可实现分步沉积型原子光刻技术制备非正交性误差小于0.01度的二维原子光刻栅格结构。
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