公开(公告)号：CN113675136B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202010402133.7

申请日：2020-05-13

申请人： 和舰芯片制造(苏州)股份有限公司

发明人： 徐忠良 ,  瞿春辉

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/67

摘要： 本发明公开了提供一种包含接触窗的集成电路生产方法，集成电路包含衬底和沉积于衬底上的氧化层，方法包含以下步骤：步骤一，对集成电路进行转平边处理；步骤二，对集成电路进行高温烘烤处理；步骤三，对氧化层进行蚀刻处理以形成沟槽；步骤四，在沟槽中依次沉积粘结层和导电层以形成接触窗。该方法有效避免了接触窗出现高电阻现象。本发明同时提供一种执行该方法的机台以及使用该方法生产的包含接触窗的集成电路。

公开(公告)号：CN113675136A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202010402133.7

申请日：2020-05-13

申请人： 和舰芯片制造(苏州)股份有限公司

发明人： 徐忠良 ,  瞿春辉

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/67

摘要： 本发明公开了提供一种包含接触窗的集成电路生产方法，集成电路包含衬底和沉积于衬底上的氧化层，方法包含以下步骤：步骤一，对集成电路进行转平边处理；步骤二，对集成电路进行高温烘烤处理；步骤三，对氧化层进行蚀刻处理以形成沟槽；步骤四，在沟槽中依次沉积粘结层和导电层以形成接触窗。该方法有效避免了接触窗出现高电阻现象。本发明同时提供一种执行该方法的机台以及使用该方法生产的包含接触窗的集成电路。