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发明公开
一种正交相铁电单晶的朗道自由能参数构建方法、电子设备及存储介质审中-公开

公开(公告)号：CN118883636A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410943644.8

申请日：2024-07-15

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 胡程鹏 , 刘明瑄 , 孟祥达 , 谭鹏 , 田浩

IPC分类号： G01N27/00 , G01N27/22 , G01N25/12

摘要： 一种正交相铁电单晶的朗道自由能参数构建方法、电子设备及存储介质，属于铁电单晶分析技术领域。为快速拟合朗道自由能参数，本发明包括测量全温域介电常数随温度的变化关系，确定材料的四方相‑立方相的相变点温度TC、正交相‑四方相的相变点温度TO‑T、三方相‑正交相的相变点温度TR‑O，在材料相变点温度下进行电滞回线测试，得到相变点下的材料的自发极化取值，在材料相变点温度下进行不同晶相下的介电常数测试，基于得到的相变点下的材料的自发极化取值、得到的相变点下的不同晶相下的介电常数，计算正交相铁电单晶的朗道自由能参数。本发明拟合速度快。