一种基于铌酸锂晶体电光效应的光强调制的方法及光开关

    公开(公告)号:CN114815328A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202110729773.3

    申请日:2021-06-29

    摘要: 本发明公开了一种基于铌酸锂晶体电光效应的光强调制的方法及光开关,属于光调制器件的设计与制备技术领域。本发明以LiNbO3晶体的电光效应为基础,以1064nm的红外激光为泵浦光,实现倍频出射532nm绿光,滤波片滤去1064nm基频光,测量倍频光和转台角度关系,固定转台在某一角度,通过外加电压可以改变产生的倍频光强度,实现了对倍频激光强度的连续非机械性调制,并获得一种电压控制的光强调制开关。本发明提供的样品制作简单,非常有利于器件设计,且调制效率较优良,为晶体器件实现光强调制提供了另一种可能。

    基于顺电相钽铌酸钾晶体电控偏转特性的二维光学扫描系统及方法

    公开(公告)号:CN103713403A

    公开(公告)日:2014-04-09

    申请号:CN201310579886.5

    申请日:2013-11-19

    发明人: 宫德维 周忠祥

    IPC分类号: G02F1/03

    摘要: 基于顺电相钽铌酸钾晶体电控偏转特性的二维光学扫描系统及方法,属于非线性光学领域。二维光学扫描系统由第一顺电相钽铌酸钾晶体、第二顺电相钽铌酸钾晶体和二分之一玻片组成,第一顺电相钽铌酸钾晶体和第二顺电相钽铌酸钾晶体的[100]、[010]和[001]方向与直角坐标系的x、y、z轴相对应,z轴为光学对称轴,沿z值增大方向依次为第一顺电相钽铌酸钾晶体、二分之一玻片和第二顺电相钽铌酸钾晶体。本发明以顺电相钽铌酸钾晶体为基础,利用其电控二次电光效应实现入射光的偏转,并其通过调节施加在晶体表面的外加电压直接控制激光束的偏转方向,从而实现二维空间扫描。

    光折变体全息相位复用存储与相关识别方法及其系统

    公开(公告)号:CN1741598A

    公开(公告)日:2006-03-01

    申请号:CN200510010069.3

    申请日:2005-06-07

    IPC分类号: H04N5/89 G03H1/26

    摘要: 光折变体全息相位复用存储与相关识别方法及其系统,它属于光存储与相关识别领域。为了解决现有技术使用范围受限制的不足,本存储方法为:从(1)中射出的光束通过(2)和(3)被扩束后经(4)进行分束;参考光经过(7)改变方向后经过(8)进行相位编码,(9)将编码后的参考光会聚到(5)中;信号光经过(12)改变方向后经过(14)被加载上信息,经(15)后在(5)内形成傅里叶变换频谱;信号光和参考光在(5)中相遇干涉,形成体相位光栅,从而实现全息图像的记录;以参考光为转轴旋转(8),实现不同的全息图对应不同的位相地址;对(5)内存储的信号光进行再现和识别。利用本发明在光折变材料中同一小体积内记录并再现了30幅图像,通过相关的方法对其进行了识别,准确率为100%。

    一种以二异丙胺卤盐为前体材料的有机-无机杂化钙钛矿结构晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN105926040B

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201610473008.9

    申请日:2016-06-24

    IPC分类号: C30B29/54 C30B7/14

    摘要: 一种以二异丙胺卤盐为前体材料的有机‑无机杂化钙钛矿结构晶体的制备方法,涉及一种有机‑无机杂化钙钛矿结构晶体的制备方法。本发明为了解决现有技术制备的有机‑无机杂化钙钛矿结构晶体生长质量差、生长条纹多和残余应力大的问题。制备方法:一、制备钙钛矿晶体的前体材料;二、制备目标籽晶;三、进行晶体静置生长;四、继续进行晶体静置生长;五、重复步骤四至得到目标尺寸的晶体。本发明制备方法可以提高有机‑无机杂化钙钛矿晶体的生长质量,减少生长条纹和残余应力;用于复合半导体微电子开关、发光器件以及光伏器件等光电功能器件的研制中。本发明适用于有机‑无机杂化钙钛矿结构晶体的制备。

    钬镱双掺铌酸钾锂单晶及其制备方法

    公开(公告)号:CN102140692A

    公开(公告)日:2011-08-03

    申请号:CN201110058798.1

    申请日:2011-03-11

    IPC分类号: C30B29/30 C30B11/00

    摘要: 钬镱双掺铌酸钾锂单晶及其制备方法,它涉及铌酸钾锂单晶及其制备方法。本发明要解决目前尚没有以铌酸钾锂为基质的频率上转换性能的材料的技术问题。本发明的钬镱双掺铌酸钾锂单晶是由氧化镱、氧化钬、氧化铌、碳酸锂和碳酸钾制成;方法:称取氧化镱、氧化钬、氧化铌、碳酸锂和碳酸钾并混合均匀,再研磨后放在坩埚中,在晶体生长炉内先烧结得到铌酸钾锂多晶,采用逐步降温法,即得钬镱双掺铌酸钾锂单晶。本发明的单晶在975nm激光的激发下产生545nm绿光和650nm红光,可用于频率上转换短波长全固态激光器领域及太阳能电池、彩色显示和生物识别等领域。

    二维光学高阶衍射分束器的制备方法

    公开(公告)号:CN101251653A

    公开(公告)日:2008-08-27

    申请号:CN200810064231.3

    申请日:2008-04-03

    IPC分类号: G02B27/42 H01S5/00

    摘要: 本发明提供了一种二维光学高阶衍射分束器的制备方法,本发明的方法是:使四束具有相干性的光束相交后照射光致聚合材料,形成光强分布不均匀的干涉条纹并利用光致聚合效应制备分束器,然后使分束器产生高阶衍射即可实现分束,上述两光束的夹角需使这时发生的衍射为高阶衍射。本发明利用光致聚合材料的光致聚合效应实现了光分束,不仅可以对不带信息的光束进行分束,而且可以把不同波长的带有信息的入射光分束分成多束输出,方法简单、成本较低、应用灵活。

    一种基于铌酸锂晶体电光效应的光强调制的方法及光开关

    公开(公告)号:CN114815328B

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202110729773.3

    申请日:2021-06-29

    摘要: 本发明公开了一种基于铌酸锂晶体电光效应的光强调制的方法及光开关,属于光调制器件的设计与制备技术领域。本发明以LiNbO3晶体的电光效应为基础,以1064nm的红外激光为泵浦光,实现倍频出射532nm绿光,滤波片滤去1064nm基频光,测量倍频光和转台角度关系,固定转台在某一角度,通过外加电压可以改变产生的倍频光强度,实现了对倍频激光强度的连续非机械性调制,并获得一种电压控制的光强调制开关。本发明提供的样品制作简单,非常有利于器件设计,且调制效率较优良,为晶体器件实现光强调制提供了另一种可能。

    基于铌酸锂晶体温控的激光偏转调制方法

    公开(公告)号:CN107092104B

    公开(公告)日:2019-12-03

    申请号:CN201710486438.9

    申请日:2017-06-23

    IPC分类号: G02F1/03

    摘要: 本发明提供一种体积小、加工简单、且可根据实际需要控制偏转光束的光强分布的基于铌酸锂晶体温控的激光偏转调制方法,属于偏转器件的设计与制备研究领域。本发明基于铌酸锂晶体实现,铌酸锂晶体为长方体块体,建立xyz直角坐标系,其中y轴为晶体长度方向,x轴为晶体光轴方向;在铌酸锂晶体的一个晶面上设置金属纳米薄膜,在金属纳米薄膜z轴方向的两端设置两个金属电极;激光通过1号半波片和傅里叶透镜入射至铌酸锂晶体,在偏转元件的两个金属电极上施加直流电压,使铌酸锂晶体产生的温度梯度场;逐渐增加施加的直流电压,使激光光束在温度梯度场方向发生横向偏转,直至获得需要调制的偏转角。本发明还能利用两个铌酸锂晶体实现一维和二维偏转。

    利用光折变高阶衍射对携带信息的光束进行分束的方法

    公开(公告)号:CN100504504C

    公开(公告)日:2009-06-24

    申请号:CN200510010385.0

    申请日:2005-09-28

    摘要: 利用光折变高阶衍射对携带信息的光束进行分束的方法,它涉及光折变效应与光学分束技术领域,它是为了解决现有的分束方法要么结构复杂、成本高、易损坏分束元件,要么加工工艺不成熟、缺乏对带有信息的光束进行分束的能力,要么分出的光束具有偏振性的问题。本发明的方法是:使两束具有相干性的光束相交后照射光折变材料,形成光强分布不均匀的干涉条纹并利用光折变效应制备分束元件,然后使分束元件产生Raman-Nath衍射即可实现分束,上述两光束的夹角需使这时发生的衍射为Raman-Nath衍射。本发明利用光折变材料的光折变效应实现了光分束,不仅可以对不带信息的光束进行分束,而且可以把不同波长的带有信息的入射光分束分成多束输出,方法简单、成本较低、应用灵活。