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公开(公告)号：CN100530385C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200710072530.7
申请日：2007-07-20
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 原子力显微镜探针纳米压痕实现高密度信息存储的方法，本发明涉及一种高密度信息存储的方法。它克服了现有技术只能写入信息而不能擦除的缺陷。本发明通过下述步骤实现：一、制得苯乙烯-乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物薄膜，并使该薄膜的相分离形态为球形结构；二、利用原子力显微镜扫描探针在薄膜表面进行敲击以形成纳米压痕，以实现高密度信息存储中的“写入”过程；三、对该薄膜进行加热处理，薄膜表面的纳米压痕回复，实现存储信息的“擦除”。本发明制备了一种特殊功能膜，使得原子力显微镜探针在敲击模式下可以利用针尖与薄膜间的敲击力在薄膜表面制备纳米压痕，并且此压痕可以通过高温处理来擦除。处理温度越高，压痕消失速度越快。
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公开(公告)号：CN114589616A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210423800.9
申请日：2022-04-21
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种加热与振动协同化学机械抛光CaF2晶片的装置及方法，本发明涉及晶片抛光的装置及方法。它是要解决现有的CaF2晶体元件抛光方法的作业时间长、表面质量差的技术问题。本装置包括第一电机、抛盘、加热垫、抛光垫、支撑架、第二电机、工件盘、振动装置、配重块、气动夹持装置；第一电机带动抛盘逆时针转动；加热垫和抛光垫置于抛盘表面，第二电机带动工件盘顺时针转动；在工件盘上方设置振动装置和配重块，气动夹持装置用于调整配重块对工件盘的压力。方法：一、粗磨；二、沥青盘抛光；三、精抛；四、精整；抛光后的CaF2晶片表面的粗糙度Ra达到0.07～0.08nm，可用作透镜、棱镜和红外成像设备的窗口等光学领域。
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公开(公告)号：CN101136227A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710072530.7
申请日：2007-07-20
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： AFM探针纳米压痕实现高密度信息存储的方法，本发明涉及一种高密度信息存储的方法。它克服了现有技术只能写入信息而不能擦除的缺陷。本发明通过下述步骤实现：一、制得苯乙烯－乙烯－丁二烯－苯乙烯(SEBS)嵌段共聚物薄膜，并使该薄膜的相分离形态为球形结构；二、利用AFM扫描探针在薄膜表面进行敲击以形成纳米压痕，以实现高密度信息存储中的“写入”过程；三、对该薄膜进行加热处理，薄膜表面的纳米压痕回复，实现存储信息的“擦除”。本发明制备了一种特殊功能膜，使得AFM探针在敲击模式下可以利用针尖与薄膜间的敲击力在薄膜表面制备纳米压痕，并且此压痕可以通过高温处理来擦除。处理温度越高，压痕消失速度越快。
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公开(公告)号：CN114589616B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210423800.9
申请日：2022-04-21
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种加热与振动协同化学机械抛光CaF2晶片的装置及方法，本发明涉及晶片抛光的装置及方法。它是要解决现有的CaF2晶体元件抛光方法的作业时间长、表面质量差的技术问题。本装置包括第一电机、抛盘、加热垫、抛光垫、支撑架、第二电机、工件盘、振动装置、配重块、气动夹持装置；第一电机带动抛盘逆时针转动；加热垫和抛光垫置于抛盘表面，第二电机带动工件盘顺时针转动；在工件盘上方设置振动装置和配重块，气动夹持装置用于调整配重块对工件盘的压力。方法：一、粗磨；二、沥青盘抛光；三、精抛；四、精整；抛光后的CaF2晶片表面的粗糙度Ra达到0.07～0.08nm，可用作透镜、棱镜和红外成像设备的窗口等光学领域。
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公开(公告)号：CN114670111A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210423799.X
申请日：2022-04-21
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种固结磨料联合超声雾化抛光CaF2晶体的装置和方法，它涉及晶体的抛光装置和方法。它是要解决现有的CaF2晶体的抛光方法存在的易引入污染物、操作繁琐的技术问题。本装置包括第一电机、抛盘、抛光垫、支撑架、第二电机、工件盘、配重块、气动夹持装置和超声雾化器；第一电机带动抛盘逆时针转动，第二电机带动工件盘顺时针转动；气动夹持装置用于调整配重块对工件盘的压力；抛光方法：一、粗磨；二、沥青盘抛光；三、冰块型固结磨料抛光垫抛光；四、精抛；五、精整。本发明的方法抛光后的CaF2晶片的粗糙度Ra达到1.30～4.8nm，可用于高能探测、红外追踪和光学元件领域。
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公开(公告)号：CN114670111B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210423799.X
申请日：2022-04-21
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种固结磨料联合超声雾化抛光CaF2晶体的装置和方法，它涉及晶体的抛光装置和方法。它是要解决现有的CaF2晶体的抛光方法存在的易引入污染物、操作繁琐的技术问题。本装置包括第一电机、抛盘、抛光垫、支撑架、第二电机、工件盘、配重块、气动夹持装置和超声雾化器；第一电机带动抛盘逆时针转动，第二电机带动工件盘顺时针转动；气动夹持装置用于调整配重块对工件盘的压力；抛光方法：一、粗磨；二、沥青盘抛光；三、冰块型固结磨料抛光垫抛光；四、精抛；五、精整。本发明的方法抛光后的CaF2晶片的粗糙度Ra达到1.30～4.8nm，可用于高能探测、红外追踪和光学元件领域。
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公开(公告)号：CN111825552A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010586714.0
申请日：2020-06-24
申请人： 哈尔滨工业大学(威海)
IPC分类号： C07C67/343 , C07C69/618
摘要： 本发明涉及一种钯催化下的芳基丙烯酸酯衍生物的制备方法。所制备的芳基丙烯酸酯类化合物结构式如附图1所示，其中R为甲基、乙基、叔丁基。制备方法：苯亚磺酸钠、丙烯酸酯类化合物、双三苯基膦氯化钯、六氟锑酸银和一水合醋酸铜，以甲苯为溶剂，在60oC下反应12小时后结束，用有机溶剂萃取、浓缩、提纯，得到苯基丙烯酸酯类化合物。本发明具有原料易得、反应条件温和、操作简单，重复性好等特点。
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公开(公告)号：CN111635394A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010595211.X
申请日：2020-06-24
申请人： 哈尔滨工业大学(威海)
IPC分类号： C07D403/10 , C09K11/06 , G01N21/64
摘要： 本发明公开了一种用于特异性识别亚硫酸根的荧光探针及其制备方法。该探针可以选择性地与亚硫酸根作用，释放出强荧光物质。运用其对亚硫酸根的荧光响应可以实现亚硫酸根的定性检测。该探针可经化学合成获得，合成工艺简单易行，并且检测方法操作简单、灵敏度高、选择性好，使得该类探针在生物领域具有实际的应用价值。
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