公开(公告)号：CN118711637A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410736520.2

申请日：2024-06-07

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 魏德宝 ,  王勇超 ,  项胡琦 ,  刘旺 ,  乔立岩

IPC分类号： G11C16/08

摘要： 一种基于熵的TLC型NAND闪存双非均匀感知电平放置方法及装置，涉及固态存储领域。为解决现有技术中，尚未公开使用少量感知电平的情况下获得更加精确的LLR信息的技术方案的技术问题，本发明提供的技术方案为：包括：采集闪存中各个交叠区的熵值的步骤1；根据各个交叠区内部的熵值，放置感知电平的步骤2；根据各个交叠区之间的熵值，放置感知电平的步骤3；结合各个交叠区内部和各个交叠区之间的熵值，放置感知电平的步骤4。在步骤4中，对步骤2和步骤3放置的感知电平的数据进行软判决读取，并译码，根据各个交叠区之间的熵值确定顺序，根据各个交叠区内部的熵值确定放置方式。可以应用于使用少量感知电平的情况下获得更加精确的LLR信息的工作中。

公开(公告)号：CN118711636A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410736519.X

申请日：2024-06-07

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 魏德宝 ,  王勇超 ,  项胡琦 ,  刘旺 ,  乔立岩

IPC分类号： G11C16/08

摘要： 一种面向TLC型NAND Flash的轻量化LDPC硬解码读时延降低方法及装置，涉及固态储存领域。为解决现有技术中，当闪存中数据的原始比特错误率较高时，LDPC码译码不仅需要较多的感知电平，也需要大量的译码迭代次数，从而造成严重的读时延问题的技术问题，本发明提供的技术方案为：读时延降低方法，所述方法包括：采集储存器中块号，并确定特征字线号的步骤；读取特征字线的LSB页数据，并记录迭代次数的步骤；根据所述迭代次数，计算至少1个交叠区的电压偏移量的步骤；根据所述电压偏移量，调整读参考电压位置，并读取所有数据的步骤。根据该读时延降低方法实现的硬解码读时延降低方法。适合应用于TLC型NAND Flash的轻量化LDPC硬解码工作中。