公开(公告)号：CN105957970B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201610369755.8

申请日：2016-05-30

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 张甲 ,  白学林 ,  周丽杰 ,  王振龙 ,  石琳

IPC分类号： H01L51/48 ,  H01L51/44 ,  H01L51/42 ,  C23C16/44

摘要： 一种大尺寸单晶钙钛矿薄膜的制备方法，本发明涉及大尺寸单晶薄膜的制备方法，特别是涉及一种大尺寸单晶钙钛矿薄膜的制备方法。本发明的目的是为了解决现有技术制备的钙钛矿薄膜的单晶尺寸小和结晶质量差导致其电学性能较低的问题。本发明利用有机前驱物和无机前驱物，加热蒸发进行气相反应，在衬底上制备出大尺寸单晶钙钛矿薄膜。该制备方法能稳定的获得大尺寸高结晶质量的单晶钙钛矿薄膜，同时可对薄膜的尺寸、厚度、成分等物性进行精确的调控；本发明所制备的大尺寸单晶钙钛矿薄膜可用于柔性太阳能电池、激光器件、LED器件等方面。

公开(公告)号：CN105957970A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201610369755.8

申请日：2016-05-30

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 张甲 ,  白学林 ,  周丽杰 ,  王振龙 ,  石琳

IPC分类号： H01L51/48 ,  H01L51/44 ,  H01L51/42 ,  C23C16/44

摘要： 一种大尺寸单晶钙钛矿薄膜的制备方法，本发明涉及大尺寸单晶薄膜的制备方法，特别是涉及一种大尺寸单晶钙钛矿薄膜的制备方法。本发明的目的是为了解决现有技术制备的钙钛矿薄膜的单晶尺寸小和结晶质量差导致其电学性能较低的问题。本发明利用有机前驱物和无机前驱物，加热蒸发进行气相反应，在衬底上制备出大尺寸单晶钙钛矿薄膜。该制备方法能稳定的获得大尺寸高结晶质量的单晶钙钛矿薄膜，同时可对薄膜的尺寸、厚度、成分等物性进行精确的调控；本发明所制备的大尺寸单晶钙钛矿薄膜可用于柔性太阳能电池、激光器件、LED器件等方面。