公开(公告)号：CN114620945B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202210311247.X

申请日：2022-03-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李垚 ,  耿晨晨 ,  豆书亮 ,  赵九蓬

IPC: C03C17/245 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 一种基于高透明二氧化钒热致变色智能窗及其制备方法，它涉及一种智能窗及其制备方法。本发明要解决现有VO2薄膜制备参数较为严格以及VO2薄膜可见透过比较低的问题。基于高透明VO2热致变色智能窗由半导体基底及一侧设置的VO2微纳米颗粒层组成，或基于高透明VO2热致变色智能窗由半导体基底及两侧设置的VO2微纳米颗粒层组成。制备方法：一、清洗基片；二、VO2薄膜制备；三、微纳米颗粒的加工。本发明用于基于高透明VO2热致变色智能窗及其制备。

公开(公告)号：CN114620945A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202210311247.X

申请日：2022-03-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李垚 ,  耿晨晨 ,  豆书亮 ,  赵九蓬

IPC: C03C17/245 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 一种基于高透明二氧化钒热致变色智能窗及其制备方法，它涉及一种智能窗及其制备方法。本发明要解决现有VO2薄膜制备参数较为严格以及VO2薄膜可见透过比较低的问题。基于高透明VO2热致变色智能窗由半导体基底及一侧设置的VO2微纳米颗粒层组成，或基于高透明VO2热致变色智能窗由半导体基底及两侧设置的VO2微纳米颗粒层组成。制备方法：一、清洗基片；二、VO2薄膜制备；三、微纳米颗粒的加工。本发明用于基于高透明VO2热致变色智能窗及其制备。

公开(公告)号：CN117331250A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202311429164.1

申请日：2023-10-31

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李垚 ,  耿晨晨 ,  豆书亮 ,  赵九蓬

IPC: G02F1/01

Abstract: 一种低太阳吸收比二氧化钒热致变色智能热控器件及其制备方法，它属于智能热控器件制备领域。本发明要解决现有基于VO2智能热控器件发射率变化小，太阳吸收比高的问题。低太阳吸收比二氧化钒热致变色智能热控器件，它自下而上依次由基底层、红外高反射金属层、介质层和W‑Mg共掺杂VO2层组成。制备方法：一、清洗基片；二、红外高反射金属层制备；三、介质层制备；四、W‑Mg共掺杂VO2层的制备。本发明低太阳吸收比二氧化钒热致变色智能热控器件及其制备。