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公开(公告)号：CN1242507C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200410013563.0
申请日：2004-02-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02E60/525
Abstract: 本发明公开一种制备致密氧化物固体电解质薄膜的方法。它通过下述步骤实现：(一)分别制备片状的支撑体、重力沉降悬浊液和电泳沉积悬浮液。(二)将支撑体浸入到重力沉降悬浊液料浆中，沉积时间0.5～4h，沉积完成后，将托盘连同支撑体从悬浊液中取出，在空气中阴干6～12h。(三)将沉积有薄膜的支撑体置于马弗炉中，以5～20K/min的升温速率升温到800～1200℃，共烧结1h～6h。(四)依次重复步骤(二)和步骤(三)1～6次。(五)把烧结后的支撑体进行导电化处理。(六)处理后的支撑体粘附在银片电极上在电泳沉积悬浮液中进行薄膜的电泳沉积。(七)完成了重力沉积和电泳沉积的电解质薄膜坯体最后在1300～1400℃共烧结1～8h，制成电解质薄膜。它具有工艺简单、成本低廉等优点。
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公开(公告)号：CN1560948A
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN200410013563.0
申请日：2004-02-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02E60/525
Abstract: 本发明公开一种制备致密氧化物固体电解质薄膜的方法。它通过下述步骤实现：(一)分别制备片状的支撑体、重力沉降悬浊液和电泳沉积悬浮液。(二)将支撑体浸入到重力沉降悬浊液料浆中，沉积时间0.5～4h，沉积完成后，将托盘连同支撑体从悬浊液中取出，在空气中阴干6～12h。(三)将沉积有薄膜的支撑体置于马弗炉中，以5～20K/min的升温速率升温到800～1200℃，共烧结1h～6h。(四)依次重复步骤(二)和步骤(三)1～6次。(五)把烧结后的支撑体进行导电化处理。(六)处理后的支撑体粘附在银片电极上在电泳沉积悬浮液中进行薄膜的电泳沉积。(七)完成了重力沉积和电泳沉积的电解质薄膜坯体最后在1300～1400℃共烧结1～8h，制成电解质薄膜。它具有工艺简单、成本低廉等优点。
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公开(公告)号：CN1328218C
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200510010305.1
申请日：2005-09-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/645
Abstract: 一种薄陶瓷膜片的制备方法，涉及一种陶瓷片的制备方法，它是为了解决现有的薄陶瓷膜片的制备方法在制备厚度为50μm左右的陶瓷膜片时成本高、工艺复杂，且所制备的薄陶瓷膜片无法达到高机械强度的要求的问题。本发明方法的步骤包括：一、组装模具；二、缓冲层成型；三、添加陶瓷粉；四、干压成型；五、脱模；六、高温烧结。采用本发明制备的致密陶瓷膜片的厚度在20～250μm，适用于所有采用此厚度的陶瓷膜片的领域，特别是可以用于制造电解质自支撑结构的固体氧化物燃料电池的电解质膜片。本发明制备的陶瓷膜片具有与传统干压法相同的坯体密度和较高的机械强度，而且工艺简单、易操作。
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公开(公告)号：CN1765831A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510010305.1
申请日：2005-09-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/645
Abstract: 一种薄陶瓷膜片的制备方法，涉及一种陶瓷片的制备方法，它是为了解决现有的薄陶瓷膜片的制备方法在制备厚度为50μm左右的陶瓷膜片时成本高、工艺复杂，且所制备的薄陶瓷膜片无法达到高机械强度的要求的问题。本发明方法的步骤包括：一、组装模具；二、缓冲层成型；三、添加陶瓷粉；四、干压成型；五、脱模；六、高温烧结。采用本发明制备的致密陶瓷膜片的厚度在20～250μm，适用于所有采用此厚度的陶瓷膜片的领域，特别是可以用于制造电解质自支撑结构的固体氧化物燃料电池的电解质膜片。本发明制备的陶瓷膜片具有与传统干压法相同的坯体密度和较高的机械强度，而且工艺简单、易操作。
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