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公开(公告)号：CN105391276B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201510968875.5
申请日：2015-12-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H02M1/08
Abstract: 高温碳化硅MOSFET驱动电路，属于高温电力电子领域，本发明为解决作为信号发生源的耐高温芯片的最大供电电压一般小于18V，则其输出的PWM信号的高电平也小于18V，不满足驱动信号的高电平应为18V的问题。本发明以耐高温200℃的NPN三极管2N2222、PNP三极管2N2907、稳压芯片TPS76901、1N53XX系列稳压管、定时器芯片CHT‑555为基础，设计出一个耐高温200℃的碳化硅MOSFET驱动电路，该驱动电路能够将CHT‑555定时器产生的0‑5V方波信号放大成低电平为‑5V、高电平为18V的碳化硅MOSFET驱动信号，放大后的驱动信号的上升时间和下降时间均小于80ns。
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公开(公告)号：CN105610445B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201510968437.9
申请日：2015-12-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H03M1/12
Abstract: 基于分时供电技术的耐高温多路测量信号切换电路，属于传感与测量领域，本发明为解决环境温度高于125℃时，该温度等级的多路开关芯片资源稀少，限制了采用多路开关来分时切换多路测量信号这一方式的问题。本发明包括555定时器、二进制计数器、3输入/8输出选择译码器、三极管Q1～Q16、运算放大器A1～A8和输出电阻；555定时器产生一组频率可调的方波信号，任一时刻八种输出变量仅有一种变量为高电平，其余七种变量皆为低电平，八路运算放大器也是分时循环工作的，从而八路测量信号能够在电阻上分时得到，从而八路信号的分时输出能够得以实现，解决高于125℃低于200℃环境温度下多路测量信号分时切换的问题。
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公开(公告)号：CN102998620B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210547919.3
申请日：2012-12-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/327 , G01R31/12
Abstract: 高压晶闸管阀组快速在线故障检测装置及方法，属于晶闸管在线检测领域，本发明为解决目前检测高压晶闸管阀组的检测电路结构复杂，且成本高的问题。本发明包括高频交变电流源、能量耦合单元、整流滤波电路、稳压电路、处理器、调理电路、检测电路和光纤，高频交变电流源的输出端与能量耦合单元的输入端相连，能量耦合单元的输出端与整流滤波电路的交流输入端相连，整流滤波电路的直流输出端与稳压电路的输入端相连，稳压电路的输出端同时与处理器、调理电路和检测电路的直流供电端相连，调理电路接收高压晶闸管阀组中待检测的晶闸管端电压信号，调理电路的输出端与检测电路的输入端相连，检测电路的输出端通过光纤与处理器的信号输入端相连。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105388950B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510968883.X
申请日：2015-12-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 基于电流镜的耐高温恒流启动电路，属于石油参数控制领域，本发明为解决采用电流调节二极管作为启动电路在温度高于100℃时无法完成启动任务的问题。本发明包括NPN三极管Q1、Q2、NMOS晶体管M、电阻R1、R2和恒流二极管D1；Q1、Q2和R1构成电流镜结构；流过Q1的电流I2和流过Q2集电极的电流I1保持相等；启动电路的总电流I＝I1+I2+I3，式中I3为M中流过的电流；当温度低于100℃时，由D1负责调节电路电流，以保证I恒定；当温度高于100℃时，随着温度升高，D1的电流调节能力下降，I1减小，I2随之减小，I3增加，I3的增加量补偿了I1、I2的减小量，总电流I保持恒定。
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公开(公告)号：CN105610445A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510968437.9
申请日：2015-12-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H03M1/12
CPC classification number: H03M1/1205 , H03M2201/192
Abstract: 基于分时供电技术的耐高温多路测量信号切换电路，属于传感与测量领域，本发明为解决环境温度高于125℃时，该温度等级的多路开关芯片资源稀少，限制了采用多路开关来分时切换多路测量信号这一方式的问题。本发明包括555定时器、二进制计数器、3输入/8输出选择译码器、三极管Q1～Q16、运算放大器A1～A8和输出电阻；555定时器产生一组频率可调的方波信号，任一时刻八种输出变量仅有一种变量为高电平，其余七种变量皆为低电平，八路运算放大器也是分时循环工作的，从而八路测量信号能够在电阻上分时得到，从而八路信号的分时输出能够得以实现，解决高于125℃低于200℃环境温度下多路测量信号分时切换的问题。
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公开(公告)号：CN105388950A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510968883.X
申请日：2015-12-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G05F1/561
Abstract: 基于电流镜的耐高温恒流启动电路，属于石油参数控制领域，本发明为解决采用电流调节二极管作为启动电路在温度高于100℃时无法完成启动任务的问题。本发明包括NPN三极管Q1、Q2、NMOS晶体管M、电阻R1、R2和恒流二极管D1；Q1、Q2和R1构成电流镜结构；流过Q1的电流I2和流过Q2集电极的电流I1保持相等；启动电路的总电流I＝I1+I2+I3，式中I3为M中流过的电流；当温度低于100℃时，由D1负责调节电路电流，以保证I恒定；当温度高于100℃时，随着温度升高，D1的电流调节能力下降，I1减小，I2随之减小，I3增加，I3的增加量补偿了I1、I2的减小量，总电流I保持恒定。
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公开(公告)号：CN102998620A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210547919.3
申请日：2012-12-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/327 , G01R31/12
Abstract: 高压晶闸管阀组快速在线故障检测装置及方法，属于晶闸管在线检测领域，本发明为解决目前检测高压晶闸管阀组的检测电路结构复杂，且成本高的问题。本发明包括高频交变电流源、能量耦合单元、整流滤波电路、稳压电路、处理器、调理电路、检测电路和光纤，高频交变电流源的输出端与能量耦合单元的输入端相连，能量耦合单元的输出端与整流滤波电路的交流输入端相连，整流滤波电路的直流输出端与稳压电路的输入端相连，稳压电路的输出端同时与处理器、调理电路和检测电路的直流供电端相连，调理电路接收高压晶闸管阀组中待检测的晶闸管端电压信号，调理电路的输出端与检测电路的输入端相连，检测电路的输出端通过光纤与处理器的信号输入端相连。
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公开(公告)号：CN105391276A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510968875.5
申请日：2015-12-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H02M1/08
CPC classification number: H02M1/08
Abstract: 高温碳化硅MOSFET驱动电路，属于高温电力电子领域，本发明为解决作为信号发生源的耐高温芯片的最大供电电压一般小于18V，则其输出的PWM信号的高电平也小于18V，不满足驱动信号的高电平应为18V的问题。本发明以耐高温200℃的NPN三极管2N2222、PNP三极管2N2907、稳压芯片TPS76901、1N53XX系列稳压管、定时器芯片CHT-555为基础，设计出一个耐高温200℃的碳化硅MOSFET驱动电路，该驱动电路能够将CHT-555定时器产生的0-5V方波信号放大成低电平为-5V、高电平为18V的碳化硅MOSFET驱动信号，放大后的驱动信号的上升时间和下降时间均小于80ns。
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