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公开(公告)号：CN103382244A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201310262841.5
申请日：2013-06-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种石墨烯/聚氨酯复合材料的原位制备方法，涉及一种泡沫复合材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有的石墨烯/聚氨酯复合材料的制备方法中使用石墨烯作为原材料而导致成本高，并且工艺复杂，不适合大规模工业化生产的技术问题。本发明的制备方法如下：一、称量；二、干燥；三、原料混合；四、静止发泡。本发明制备的石墨烯/聚氨酯复合材料可以应用于塑料产品中。
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公开(公告)号：CN107840941B
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201711339028.8
申请日：2017-12-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种亲水性形状记忆环氧树脂及其微阵列的制备方法及微阵列亲水性调控的方法。所述环氧树脂微阵列制备方法如下：使用光刻法对硅片进行刻蚀；利用聚二甲基硅氧烷对硅片进行赋形，得到与硅片阵列相反的聚二甲基硅氧烷模板；利用聚二甲基硅氧烷模板进行形状记忆环氧树脂阵列的赋形，得到亲水性形状记忆环氧树脂微阵列。所述调控方法为当环氧树脂微阵列处于原始的直立状态时，表面呈现超亲水状态，当环氧树脂阵列被压倒，表面呈现为亲水状态。本发明的优点是：本发明首次得到了亲水性形状记忆聚合物，通过与亲水改性剂共混，使本身疏水的环氧树脂变为亲水材料，并利用其形状记忆效应，控制表面的微观结构，制得在亲水和超亲水之间转换的亲水微阵列表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107840941A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201711339028.8
申请日：2017-12-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种亲水性形状记忆环氧树脂及其微阵列的制备方法及微阵列亲水性调控的方法。所述环氧树脂微阵列制备方法如下：使用光刻法对硅片进行刻蚀；利用聚二甲基硅氧烷对硅片进行赋形，得到与硅片阵列相反的聚二甲基硅氧烷模板；利用聚二甲基硅氧烷模板进行形状记忆环氧树脂阵列的赋形，得到亲水性形状记忆环氧树脂微阵列。所述调控方法为当环氧树脂微阵列处于原始的直立状态时，表面呈现超亲水状态，当环氧树脂阵列被压倒，表面呈现为亲水状态。本发明的优点是：本发明首次得到了亲水性形状记忆聚合物，通过与亲水改性剂共混，使本身疏水的环氧树脂变为亲水材料，并利用其形状记忆效应，控制表面的微观结构，制得在亲水和超亲水之间转换的亲水微阵列表面。
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公开(公告)号：CN103276586B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201310213156.3
申请日：2013-05-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种M40J石墨纤维表面改性方法，它涉及一种纤维表面改性方法。本发明要解决现有M40J纤维特有的石墨化程度高、晶区发育完善、杂原子含量少、纤维表面能低和相对活性点较少所的导致对M40J纤维表面改性处理困难的问题。本发明的方法为：一、将氧化石墨烯分散在E-51环氧树脂-丙酮溶液中，制成浆料；二、将M40J纤维放入步骤一得到的浆料中浸涂；三、将步骤二浸涂的M40J纤维在惰性气体或真空条件下，采用γ射线进行辐照实现氧化石墨烯与M40J纤维表面的接枝反应，将氧化石墨烯片层上的活性基团引入到纤维表面完成改性过程。本发明的方法操作简单，工艺稳定，质量可靠，适用于工业化生产。本发明应用于复合材料领域。
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公开(公告)号：CN103276586A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310213156.3
申请日：2013-05-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种M40J石墨纤维表面改性方法，它涉及一种纤维表面改性方法。本发明要解决现有M40J纤维特有的石墨化程度高、晶区发育完善、杂原子含量少、纤维表面能低和相对活性点较少所的导致对M40J纤维表面改性处理困难的问题。本发明的方法为：一、将氧化石墨烯分散在E-51环氧树脂-丙酮溶液中，制成浆料；二、将M40J纤维放入步骤一得到的浆料中浸涂；三、将步骤二浸涂的M40J纤维在惰性气体或真空条件下，采用γ射线进行辐照实现氧化石墨烯与M40J纤维表面的接枝反应，将氧化石墨烯片层上的活性基团引入到纤维表面完成改性过程。本发明的方法操作简单，工艺稳定，质量可靠，适用于工业化生产。本发明应用于复合材料领域。
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