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公开(公告)号：CN105177672B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201510586137.4
申请日：2015-09-15
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： C25D11/26
摘要： 一种钛合金表面高太阳能吸收率高发射率黑色消光膜层的制备方法，它涉及一种钛合金表面陶瓷膜层的制备方法。本发明的目的是要解决现有钛合金表面的涂层存在太阳能吸收率低，自身发射率低，膜层与基体的结合力不高的问题。方法：一、钛合金前处理；二、微弧氧化，得到钛合金表面高太阳能吸收率高发射率黑色消光膜层。本发明制备的钛合金表面高太阳能吸收率高发射率黑色消光膜层的厚度为20μm～30μm，膜层的粗糙度为0.5μm～3μm，太阳吸收率为0.95～0.98，发射率为0.93～0.97。本发明一种钛合金表面高太阳能吸收率高发射率黑色消光膜层的制备方法。
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公开(公告)号：CN105140049B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201510451104.9
申请日：2015-07-28
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种利用气相扩渗法在氧化钛纳米管上负载碳的方法，本发明涉及一种复合材料的方法。本发明的目的是要解决氧化钛纳米管进行碳掺杂，存在掺杂不均匀，浓度不易控制和材料的总体性能波动较大的问题，并且提高氧化钛纳米管的电化学性能。方法：一、阳极氧化法制备二氧化钛纳米管；二、将处理后的钛片作为阳极，铜片作为阴极，在电压为20V～60V下反应；三、将反应后的钛片进行烘干；四、向实验室滴渗电炉中滴入渗剂，排出空气后的实验室滴渗电炉；五、滴入甲醇，再进行气相扩渗，即完成。本发明可获得一种利用气相扩渗法在氧化钛纳米管上负载碳的方法，并且气相扩渗负载碳后的氧化钛纳米管的导电性提高了三个数量级，比电容提高了20倍。
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公开(公告)号：CN105047434B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201510381811.5
申请日：2015-07-02
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种利用气相扩渗法制备氧化钛纳米管/碳/氧化锰复合材料的方法，它涉及一种复合材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有现有二氧化钛纳米管的电阻大和电容性能差的问题。制备方法：一制备表面光亮的钛片；二、对表面光亮的钛片进行清洗；三、对钛片进行电解反应；四、取出钛片后烘干得到氧化钛纳米管；五、排空气；六、气相扩渗，得到氧化钛纳米管/碳/氧化锰复合材料。本发明得到的氧化钛纳米管/碳/氧化锰复合材料的电容值是氧化钛纳米管的近乎10倍；本发明得到的氧化钛纳米管/碳/氧化锰复合材料的电阻减小了三个数量级，显著地提高了导电性。本发明可以获得一种氧化钛纳米管/碳/氧化锰复合材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN105040070B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201510586138.9
申请日：2015-09-15
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： C25D11/26
摘要： 一种钛合金TA2表面高太阳吸收率低发射率膜层的制备方法，它涉及一种钛合金TA2表面陶瓷膜层的制备方法。本发明的目的是要解决现有钛合金TA2表面的涂层存在太阳能吸收率低，自身发射率高，膜层与基体的结合力不高的问题。方法：钛合金TA2前处理；二、微弧氧化，得到钛合金TA2表面高太阳吸收率低发射率膜层。本发明制备的钛合金TA2表面高太阳吸收率低发射率膜层的厚度为0.3μm～1μm，膜层的粗糙度为0.2μm～0.25μm，太阳吸收率为0.82～0.9，发射率为0.08～0.13。本发明可获得一种钛合金TA2表面高太阳吸收率低发射率膜层的制备方法。
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公开(公告)号：CN106000296A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610330872.3
申请日：2016-05-18
申请人： 哈尔滨工业大学
CPC分类号： B01J20/165 , B01J20/0229 , B01J23/745 , B01J2220/42 , B01J2220/4806 , C02F1/281 , C02F1/725 , C02F2101/345
摘要： 一种碾子山麦饭石改性的方法和应用，它涉及一种麦饭石的改性方法和应用。本发明的目的是要解决现有芬顿氧化技术中存在Fe离子溶出而产生铁泥，多次循环后性能严重下降，且产生的铁泥又影响水体降解的问题。碾子山麦饭石改性的方法：一、制备悬浊液；二、水热反应，制备反应物；三、清洗；四、干燥，得到改性后的碾子山麦饭石。改性后的碾子山麦饭石用于吸附废水中的苯酚或用于降解废水中的苯酚。使用本发明制备的改性后的碾子山麦饭石可吸附废水中大于15％的苯酚；使用本发明制备的改性后的碾子山麦饭石可降解废水中大于99％的苯酚。本发明可获得一种碾子山麦饭石改性的方法。
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公开(公告)号：CN105568343A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201511018840.1
申请日：2015-12-29
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： C25D11/26 , B01J23/745 , B01J37/02 , C02F1/72
CPC分类号： C25D11/26 , B01J23/745 , B01J37/0225 , C02F1/72 , C02F1/722 , C02F2101/345 , C02F2305/026
摘要： 利用等离子体电解氧化法在钛合金表面制备铁氧化物陶瓷膜层类芬顿催化剂的方法和应用，它涉及制备类芬顿催化剂的方法和应用。本发明的目的是要解决现有类芬顿催化剂分离回收难和基体的溶出问题。方法：一、钛合金表面前处理；二、将步骤一中得到的抛光后的钛合金置于不锈钢电解槽中的电解液中，与电源正极相连，作为阳极；不锈钢电解槽与电源负极相连接，作为阴极；三、采用方波电源供电反应，得到铁氧化物陶瓷膜层类芬顿催化剂。本发明可获得利用等离子体电解氧化法在钛合金表面制备铁氧化物陶瓷膜层类芬顿催化剂的方法。
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公开(公告)号：CN105140049A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510451104.9
申请日：2015-07-28
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种利用气相扩渗法在氧化钛纳米管上负载碳的方法，本发明涉及一种复合材料的方法。本发明的目的是要解决氧化钛纳米管进行碳掺杂，存在掺杂不均匀，浓度不易控制和材料的总体性能波动较大的问题，并且提高氧化钛纳米管的电化学性能。方法：一、阳极氧化法制备二氧化钛纳米管；二、将处理后的钛片作为阳极，铜片作为阴极，在电压为20V～60V下反应；三、将反应后的钛片进行烘干；四、向实验室滴渗电炉中滴入渗剂，排出空气后的实验室滴渗电炉；五、滴入甲醇，再进行气相扩渗，即完成。本发明可获得一种利用气相扩渗法在氧化钛纳米管上负载碳的方法，并且气相扩渗负载碳后的氧化钛纳米管的导电性提高了三个数量级，比电容提高了20倍。
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公开(公告)号：CN105047434A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510381811.5
申请日：2015-07-02
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种利用气相扩渗法制备氧化钛纳米管/碳/氧化锰复合材料的方法，它涉及一种复合材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有二氧化钛纳米管的电阻大和电容性能差的问题。制备方法：一制备表面光亮的钛片；二、对表面光亮的钛片进行清洗；三、对钛片进行电解反应；四、取出钛片后烘干得到氧化钛纳米管；五、排空气；六、气相扩渗，得到氧化钛纳米管/碳/氧化锰复合材料。本发明得到的氧化钛纳米管/碳/氧化锰复合材料的电容值是氧化钛纳米管的近乎10倍；本发明得到的氧化钛纳米管/碳/氧化锰复合材料的电阻减小了三个数量级，显著地提高了导电性。本发明可以获得一种氧化钛纳米管/碳/氧化锰复合材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN105177672A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510586137.4
申请日：2015-09-15
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： C25D11/26
摘要： 一种钛合金表面高太阳能吸收率高发射率黑色消光膜层的制备方法，它涉及一种钛合金表面陶瓷膜层的制备方法。本发明的目的是要解决现有钛合金表面的涂层存在太阳能吸收率低，自身发射率低，膜层与基体的结合力不高的问题。方法：一、钛合金前处理；二、微弧氧化，得到钛合金表面高太阳能吸收率高发射率黑色消光膜层。本发明制备的钛合金表面高太阳能吸收率高发射率黑色消光膜层的厚度为20μm～30μm，膜层的粗糙度为0.5μm～3μm，太阳吸收率为0.95～0.98，发射率为0.93～0.97。本发明一种钛合金表面高太阳能吸收率高发射率黑色消光膜层的制备方法。
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公开(公告)号：CN105018971A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510427739.5
申请日：2015-07-20
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种由铁制备功能性的微纳结构枝状α-Fe基材料的方法，它涉及一种α-Fe功能材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有废铁回收成本高且有污染和现有制备纳米级铁的工艺复杂，成本高，产品纯度低的问题。制备方法：一、取一套反应装置；二、配置电解液；三、制备金属粉体；四、清洗干燥，得到功能性的微纳结构枝状α-Fe基材料。本发明使用废弃钢铁为阳极，使废弃钢铁得到利用，解决了钢铁浪费的问题；本发明将普通的钢铁转化为枝状α-Fe，枝状α-Fe具有各种优异性能，在各个领域应用广泛。本发明可获得一种由铁制备功能性的微纳结构枝状α-Fe基材料的方法。
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