公开(公告)号：CN102340095A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201110306088.6

申请日：2011-10-11

Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)

Inventor： 田兆硕 ,  孙正和 ,  李琦 ,  孙剑峰 ,  王骐

IPC: H01S3/223 ,  H01S3/038 ,  H01S3/036 ,  H01S3/03

Abstract: 本发明涉及一种双层密封射频激励“Z”折叠波导CO2激光器，壳体是长方箱体，其与上部壳盖构成内真空室，折叠波导放电系统置于壳体内，所述壳体外壁外侧分别相应设有凹槽，壳体外侧的各个相邻凹槽之间的槽壁上设有互相连通的串气孔，各凹槽外部密封安装有相应的前端板、后端板、左侧板、右侧板，壳体分别与前端板、后端板、左侧板、右侧板之间形成封闭环形夹层空间，构成外真空室。内外真空室充以相同气压的相同激光工作气体，两者气压差近似为零，因而延缓漏气。本发明即延长了激光器寿命，又可以方便的局部拆卸调整电路和激光谐振腔，而且还具有激光器结构紧凑、体积小的优点。

公开(公告)号：CN118539901A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410595274.3

申请日：2024-05-14

Applicant: 哈尔滨工业大学 ,  哈尔滨工业大学(威海)

Inventor： 张延超 ,  郜键 ,  欧阳辰穗 ,  孙剑峰 ,  王骐

IPC: H03K3/02 ,  H03K5/12 ,  H03K5/04

Abstract: 一种下降沿斜率程序可调的高速高压脉冲产生方法及电路，属于电子电路技术领域，本发明为解决现有目前高速高压脉冲信号的下降沿斜率可调性差，并不能满足电光调Q二氧化碳激光器要求的问题。本发明采用两个串联的MOSFET作为产生高速高压脉冲的开关器件，采用n个串联连接的延迟线芯片生成n个驱动窄脉冲对第二主MOSFET的输入电容逐次充电，使第二主MOSFET栅极电压缓慢上升；通过调节任意相邻两个延迟线芯片之间的时间间隔，实现驱动窄脉冲间的时间间隔程序可调，进而控制第二主MOSFET栅极电压上升的速度，以控制第二主MOSFET漏源间电压曲线下降沿斜率，实现开关器件输出的高速高压脉冲信号下降沿斜率可调。

公开(公告)号：CN102340095B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201110306088.6

申请日：2011-10-11

Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)

Inventor： 田兆硕 ,  孙正和 ,  李琦 ,  孙剑峰 ,  王骐

IPC: H01S3/223 ,  H01S3/038 ,  H01S3/036 ,  H01S3/03

Abstract: 本发明涉及一种双层密封射频激励“Z”折叠波导CO2激光器，壳体是长方箱体，其与上部壳盖构成内真空室，折叠波导放电系统置于壳体内，所述壳体外壁外侧分别相应设有凹槽，壳体外侧的各个相邻凹槽之间的槽壁上设有互相连通的串气孔，各凹槽外部密封安装有相应的前端板、后端板、左侧板、右侧板，壳体分别与前端板、后端板、左侧板、右侧板之间形成封闭环形夹层空间，构成外真空室。内外真空室充以相同气压的相同激光工作气体，两者气压差近似为零，因而延缓漏气。本发明即延长了激光器寿命，又可以方便的局部拆卸调整电路和激光谐振腔，而且还具有激光器结构紧凑、体积小的优点。