一种纳米孪晶银材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN116770247A

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202310758841.8

    申请日:2023-06-26

    摘要: 本发明提供了一种纳米孪晶银材料及其制备方法,该制备方法包括如下步骤:步骤S1,对基板进行清洗,干燥;步骤S2,靶材选用银靶,将基板和靶材放入磁控溅射设备中,抽真空后,对基板施加负偏压进行直流磁控溅射沉积,其中,基板偏压为‑50~‑200V,基板温度为25~50℃,氩气流量为30~50sccm,溅射室真空度为0.3~1.0Pa,沉积时间为15‑90min。采用本发明的技术方案,制备得到的纳米孪晶银材料中具有高密度的纳米孪晶,孪晶界占比>90%,兼具高导电和高导热性能的条件下,提高了材料的硬度、抗电迁移性能和热稳定性;得到的纳米孪晶银材料具有优异的综合性能。

    一种低温快速生成高强度高熔点接头的芯片连接方法

    公开(公告)号:CN111627823A

    公开(公告)日:2020-09-04

    申请号:CN202010403309.0

    申请日:2020-05-13

    IPC分类号: H01L21/48 H01L21/60

    摘要: 本发明公开了一种低温快速生成高强度高熔点接头的芯片连接方法。本发明采用自设计的电阻加热与功率超声结合的超声辅助热压装置,在不破坏芯片的同时,采用高频率低压力的超声振动实现对芯片的低温连接。在芯片连接过程中,利用超声的物理振动效应使得金属纳米颗粒之间、颗粒与基板之间产生了剧烈的摩擦,导致焊料层的温度快速升高,从而加速了原子的扩散,最终在极短时间内更低的温度下实现了芯片与基板的连接。本发明方法获得接头具有更高剪切强度(70-90MPa)、高热导率(60-80W/m·K)、宽的服役温度,是第三代半导体芯片连接的一种有效解决方案,同时满足长时间高服役温度、高强度、高可靠性的特殊应用场合。

    一种绿色环保的导电纳米铜墨水及其制备方法

    公开(公告)号:CN111496266A

    公开(公告)日:2020-08-07

    申请号:CN202010385875.3

    申请日:2020-05-09

    摘要: 本发明公开了一种绿色环保的导电纳米铜墨水及其制备方法,该制备方法利用高能量超声波在液相中的空化与声流效应,来改变化学反应机制,从而高效获得纳米铜颗粒,其具体内容包括:首先,采用抗坏血酸作为为还原剂,氢氧化铜作为铜源,再利用抗坏血酸反应后的产物脱氢抗坏血酸的分散作用,以及结合超声波在液相中的特殊效应,从而高效合成出所需的铜纳米颗粒溶液;然后,从铜纳米颗粒分散液分离得到纯净铜纳米颗粒,重复洗涤后加入各种有机溶剂混合得到纳米铜导电墨水。该制备方法具有反应机制独特、制备手段新颖、工艺简单、成本低廉、产率效率高、环境友好,且极易形成大规模生产等优势,在印刷电子领域有着广阔的应用前景。