一种降低铅锡银焊接元器件空洞率的焊接工艺

    公开(公告)号:CN115945754A

    公开(公告)日:2023-04-11

    申请号:CN202211694191.7

    申请日:2022-12-28

    Abstract: 本发明涉及电子产品封装技术领域,公开了一种降低铅锡银焊接元器件空洞率的焊接工艺,将芯片、铅锡银焊片和管壳依次叠装到一起得到焊接结构;清洗焊接腔,将焊接腔腔室内温度升至100‑150℃;保持温度并抽真空30‑100s;将温度升至150‑200℃;保持温度并持续充入还原性气体100‑300s,再在温度下保温100‑150s;将温度从升到200‑250℃,在升温过程中填充保护气体;保持温度并抽真空30‑60s;将温度升到250‑300℃,并抽真空;将温度升到300‑350℃;保持温度,铅锡银焊片充分熔化,并与芯片背面金属、管壳内腔金属完成共晶反应,反应时间为20‑100s。本发明能够降低铅锡银焊接封装元器件空洞率的同时,可适用于多种封装形式,保证产品高质量并兼顾质量一致性和生产效率。

    一种半导体器件冲击试验用固定装置

    公开(公告)号:CN221659073U

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202323333435.1

    申请日:2023-12-07

    Abstract: 本实用新型涉及工装夹具技术领域,公开了一种半导体器件冲击试验用固定装置,包括夹具本体,所述夹具本体与冲击设备之间设置有第一锁紧件,所述夹具本体包括上盖板和下盖板,所述上盖板和下盖板之间设置有第二锁紧件,所述下盖板的上表面设置有向下凹陷的定位槽,所述定位槽的底壁向下设置有贯穿下盖板的顶出孔,还包括顶出杆,所述顶出杆位于下盖板的下方,所述顶出杆用于插入顶出孔内。本实用新型具有结构简单,装拆快捷方便,可一次性对多个半导体器件进行冲击试验,可以保证器件底面的完整接触,保证测试质量,同时可批量取出器件,取出方便的效果。

    一种半导体器件用碰撞试验固定装置

    公开(公告)号:CN221967812U

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202323405890.8

    申请日:2023-12-14

    Abstract: 本实用新型涉及工装夹具技术领域,公开了一种半导体器件用碰撞试验固定装置,包括夹具本体,所述夹具本体位于夹具本体宽度方向的侧面中部沿夹具本体长度方向设置有供器件放入的定位槽,所述夹具本体位于夹具本体宽度方向的侧面设置有用于抵紧器件的夹紧块,所述夹具本体与碰撞设备之间设置有锁紧件。本实用新型具有结构简单,调节方便,可一次性对多个器件进行碰撞试验,可批量放入或取出器件,取放方便,同时可对多种尺寸的器件进行定位以及完成碰撞实验的效果。

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