一种中空介孔二氧化硅\APS\氧化石墨烯纳米容器的制备方法

    公开(公告)号:CN111057442B

    公开(公告)日:2022-02-22

    申请号:CN201911337501.8

    申请日:2019-12-23

    Abstract: 本发明提供一种中空介孔二氧化硅\APS\氧化石墨烯纳米容器的制备方法,将中空介孔二氧化硅与氨丙基三甲氧基硅烷混合进行改性,然后将改性的中空介孔二氧化硅接枝到氧化石墨烯表面,制成在环氧涂层中具有良好分散性,并能负载腐蚀抑制剂的中空介孔二氧化硅\APS\氧化石墨烯纳米容器;本发明提高了氧化石墨烯在环氧涂层中的分散性,这将极大地提高氧化石墨烯环氧涂层的使用寿命。本发明也解决了氧化石墨烯在环氧涂层中只能提供被动防护功能的限制,将氧化石墨烯制成可以负载腐蚀抑制剂的纳米容器,主动腐蚀防护功能将为金属基底提供长效的腐蚀防护。

    一种硝酸根插层的镁铝水滑石制备方法

    公开(公告)号:CN110745849A

    公开(公告)日:2020-02-04

    申请号:CN201910954363.1

    申请日:2019-10-09

    Abstract: 本发明提供一种硝酸根插层的镁铝水滑石制备方法,将NaOH溶液滴定在L-组氨酸溶液中等到L-组氨酸底液;将L-组氨酸底液倒入容器中,通入氮气,在氮气保护、20-30℃的温度和剧烈搅拌的条件下,将硝酸镁、硝酸铝混合溶液滴加到L-组氨酸底液中,之后恒温搅拌得到得到镁铝水滑石悬浊液;将制得的镁铝水滑石悬浊液倒入反应釜中,水热处理;将水热处理后的镁铝水滑石悬浊液离心,洗涤,烘干得到硝酸根插层的镁铝水滑石;本发明所制得的镁铝水滑石产量高,结晶度好,可以代替传统的以硝酸钠为硝酸根来源的硝酸根插层的镁铝水滑石的制备方法。

    一种提高Ce3+在中空介孔SiO2微球中负载量的方法

    公开(公告)号:CN111286216A

    公开(公告)日:2020-06-16

    申请号:CN202010232997.9

    申请日:2020-03-28

    Abstract: 本发明一种提高Ce3+在中空介孔SiO2微球中负载量的方法,包括如下步骤:步骤一:制备中空介孔SiO2微球;步骤二:向中空介孔SiO2微球中负载Ce3+制备Ce3+/SiO2微球:步骤三:使用硅烷对负载三价铈的中空介孔SiO2微球进行改性:步骤四:向改性的中空介孔SiO2微球中再次负载Ce3+制备硅烷改性Ce3+/SiO2微球。本发明提供的这种制备方法绿色环保、温和可控,环境污染小,制得的改性中空介孔二氧化硅微球对Ce3+的负载量有明显提高。

    一种中空介孔二氧化硅\APS\氧化石墨烯纳米容器的制备方法

    公开(公告)号:CN111057442A

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN201911337501.8

    申请日:2019-12-23

    Abstract: 本发明提供一种中空介孔二氧化硅\APS\氧化石墨烯纳米容器的制备方法,将中空介孔二氧化硅与氨丙基三甲氧基硅烷混合进行改性,然后将改性的中空介孔二氧化硅接枝到氧化石墨烯表面,制成在环氧涂层中具有良好分散性,并能负载腐蚀抑制剂的中空介孔二氧化硅\APS\氧化石墨烯纳米容器;本发明提高了氧化石墨烯在环氧涂层中的分散性,这将极大地提高氧化石墨烯环氧涂层的使用寿命。本发明也解决了氧化石墨烯在环氧涂层中只能提供被动防护功能的限制,将氧化石墨烯制成可以负载腐蚀抑制剂的纳米容器,主动腐蚀防护功能将为金属基底提供长效的腐蚀防护。

    一种基于甲硫氨酸合成硝酸根插层锌铝水滑石的制备方法

    公开(公告)号:CN110407246A

    公开(公告)日:2019-11-05

    申请号:CN201910612659.5

    申请日:2019-07-09

    Abstract: 本发明提供一种基于甲硫氨酸合成硝酸根插层锌铝水滑石的制备方法,按将Zn(NO3)2·6H2O、Al(NO3)3·9H2O均匀分散在去离子水中,形成溶液A;NaOH溶液为溶液B;将甲硫氨酸溶解在去离子水形成溶液C;在搅拌和通入惰性气体条件下,将溶液A滴加到溶液C中,待滴加完毕后,将混合溶液转移至反应容器中进行水热处理,抽滤并用去离子水反复洗涤沉淀至中性,得到基于甲硫氨酸合成硝酸根插层锌铝水滑石;本发明制作过程简单、高效、成本低廉,对整个实验过程要求不高,且制备出的硝酸根插层锌铝水滑石较为纯净,更为重要的是所用原料甲硫氨酸为环境友好型氨基酸,绿色环保。

    一种硝酸根插层的镁铝水滑石制备方法

    公开(公告)号:CN110745849B

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN201910954363.1

    申请日:2019-10-09

    Abstract: 本发明提供一种硝酸根插层的镁铝水滑石制备方法,将NaOH溶液滴定在L‑组氨酸溶液中等到L‑组氨酸底液;将L‑组氨酸底液倒入容器中,通入氮气,在氮气保护、20‑30℃的温度和剧烈搅拌的条件下,将硝酸镁、硝酸铝混合溶液滴加到L‑组氨酸底液中,之后恒温搅拌得到得到镁铝水滑石悬浊液;将制得的镁铝水滑石悬浊液倒入反应釜中,水热处理;将水热处理后的镁铝水滑石悬浊液离心,洗涤,烘干得到硝酸根插层的镁铝水滑石;本发明所制得的镁铝水滑石产量高,结晶度好,可以代替传统的以硝酸钠为硝酸根来源的硝酸根插层的镁铝水滑石的制备方法。

    一种提高Ce3+在中空介孔SiO2微球中负载量的方法

    公开(公告)号:CN111286216B

    公开(公告)日:2021-09-10

    申请号:CN202010232997.9

    申请日:2020-03-28

    Abstract: 本发明一种提高Ce3+在中空介孔SiO2微球中负载量的方法,包括如下步骤:步骤一:制备中空介孔SiO2微球;步骤二:向中空介孔SiO2微球中负载Ce3+制备Ce3+/SiO2微球:步骤三:使用硅烷对负载三价铈的中空介孔SiO2微球进行改性:步骤四:向改性的中空介孔SiO2微球中再次负载Ce3+制备硅烷改性Ce3+/SiO2微球。本发明提供的这种制备方法绿色环保、温和可控,环境污染小,制得的改性中空介孔二氧化硅微球对Ce3+的负载量有明显提高。

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