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公开(公告)号：CN105932523B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201610356581.1
申请日：2016-05-25
申请人： 哈尔滨工程大学
摘要： 本发明属于太赫兹波科学与技术领域，具体涉及一种太赫兹波可控的可调谐太赫兹单模发生器。一种可调谐太赫兹单模发生器，包括液晶填充层和电介质层，所述电介质层构成圆柱状中空变截面周期波导结构，将液晶填充到电介质层构成圆柱状中空变截面周期波导结构的中空处形成液晶层，所述液晶填充层是对磁场敏感的向列型液晶，且填充在圆柱状变截面周期波导中，波导两端用电介质层封口。本发明提供的太赫兹单模发生器，通过波导截面的周期性变化，引发其中多横模共振相互作用，有效地实现低阶模式到高阶模式的转化并输出；高阶模式损耗小、消光比高、透过率稳定，并且可调谐范围宽；制备工艺简单、价格低廉、体积小、重量轻、便于集成。
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公开(公告)号：CN105891937A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610356564.8
申请日：2016-05-25
申请人： 哈尔滨工程大学
摘要： 本发明属于波导型太赫兹功能器件技术领域，具体涉及的是一种复合周期波导结构的宽带太赫兹反射器。一种复合周期波导结构的宽带太赫兹反射器，由两个结构参数不同的周期圆柱状中空波导，波导a和波导b连接而成，所述圆柱状中空波导在太赫兹频段具有布拉格和非布拉格禁带，禁带位置交错出现。本发明结构简单、体积小、操作简便且成本低廉；无方向要求，反射器双向可用，且反射频带和反射率没有较大变化；宽反射频带0.76?1.46THz,最高反射率能达到99.9％；可以通过调节两个周期结构波导的结构参数来控制改变反射频带和反射率；反射器为完全的金属闭合结构，避免了电磁辐射和介质损耗，不需要考虑封装问题。
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公开(公告)号：CN105975717A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610356562.9
申请日：2016-05-25
申请人： 哈尔滨工程大学
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明属于滤波技术领域，具体是指一种由周期结构引入缺陷，从而在非布拉格禁带中产生两个透射峰的双通道滤波器。一种基于非布拉格共振的双通道滤波器，由两个规格参数相同并具有一定周期结构管壁的管状金属波导，和一个环状金属缺陷组成，环状金属缺陷的位置在两个具有相同结构的管状金属波导中间，通过螺纹相连接。本发明用全新的基于非布拉格共振的原理实现双通道滤波。滤波带宽窄，滤波效果好。新型的高效、低声耗滤波器。通过改变波导结构参数，可有效调控滤波器工作频率。由于其制作工艺简单可广泛应用于声功能器件等方面。
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公开(公告)号：CN105891937B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201610356564.8
申请日：2016-05-25
申请人： 哈尔滨工程大学
摘要： 本发明属于波导型太赫兹功能器件技术领域，具体涉及的是一种复合周期波导结构的宽带太赫兹反射器。一种复合周期波导结构的宽带太赫兹反射器，由两个结构参数不同的周期圆柱状中空波导，波导a和波导b连接而成，所述圆柱状中空波导在太赫兹频段具有布拉格和非布拉格禁带，禁带位置交错出现。本发明结构简单、体积小、操作简便且成本低廉；无方向要求，反射器双向可用，且反射频带和反射率没有较大变化；宽反射频带0.76‑1.46THz,最高反射率能达到99.9％；可以通过调节两个周期结构波导的结构参数来控制改变反射频带和反射率；反射器为完全的金属闭合结构，避免了电磁辐射和介质损耗，不需要考虑封装问题。
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公开(公告)号：CN105913852A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610289419.2
申请日：2016-05-04
申请人： 哈尔滨工程大学
IPC分类号： G10L21/0208
CPC分类号： G10L21/0208
摘要： 本发明属于周期变截面波导缺陷模式及声波整流技术，具体涉及一种可调谐超窄带声滤波器。一种可调谐的超窄带声滤波器，由周期变截面起伏结构构成的中空圆柱状金属壁波导，在波导中间引入内径与粗管内径相同的圆柱状缺陷。滤波器管壁材料为刚性材料，材料厚度为5毫米，滤波器内部为空气。本发明有超窄的滤波频率，仅单一频率通过。工作带宽可通过改变周期变截面波导的尺寸来调节。在工作带宽内，滤波频率可调谐，具有很高的调谐精度。高的带外抑制。波导材料可变，可根据使用环境选择。波导制作及组装简单。
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公开(公告)号：CN105866985A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610357321.6
申请日：2016-05-26
申请人： 哈尔滨工程大学
摘要： 本发明提供一种可调谐太赫兹磁控光开关，是一种具有周期起伏结构的圆柱状波导，由内向外共有三层，分别是内层填充向列型液晶E7，中间层为高密度聚乙烯化合物(对填充液晶的波导进行封口)，外层为低损耗金属。波导的周期波导壁的起伏高度ε＝0.1*r0(r0为周期起伏结构圆柱状波导的平均半径)，高密度聚乙烯层和低损耗金属层的厚度均为1μm。本发明是利用磁场对向列型液晶E7的折射率的改变来实现波导发生非布拉格效应频段的调控，从而起到开关的作用。本发明所提供的可调谐太赫兹磁控光开关制备工艺简单、操作方便、性能稳定，而且开关速度快、体积小、易于集成、可调谐范围宽，因此具有较高的科学意义及应用价值。
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公开(公告)号：CN105866985B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201610357321.6
申请日：2016-05-26
申请人： 哈尔滨工程大学
摘要： 本发明提供一种可调谐太赫兹磁控光开关，是一种具有周期起伏结构的圆柱状波导，由内向外共有三层，分别是内层填充向列型液晶E7，中间层为高密度聚乙烯化合物(对填充液晶的波导进行封口)，外层为低损耗金属。波导的周期波导壁的起伏高度ε＝0.1*r0(r0为周期起伏结构圆柱状波导的平均半径)，高密度聚乙烯层和低损耗金属层的厚度均为1μm。本发明是利用磁场对向列型液晶E7的折射率的改变来实现波导发生非布拉格效应频段的调控，从而起到开关的作用。本发明所提供的可调谐太赫兹磁控光开关制备工艺简单、操作方便、性能稳定，而且开关速度快、体积小、易于集成、可调谐范围宽，因此具有较高的科学意义及应用价值。
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公开(公告)号：CN105932523A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610356581.1
申请日：2016-05-25
申请人： 哈尔滨工程大学
CPC分类号： H01S1/04 , G02F1/1313
摘要： 本发明属于太赫兹波科学与技术领域，具体涉及一种太赫兹波可控的可调谐太赫兹单模发生器。一种可调谐太赫兹单模发生器，包括液晶填充层和电介质层，所述电介质层构成圆柱状中空变截面周期波导结构，将液晶填充到电介质层构成圆柱状中空变截面周期波导结构的中空处形成液晶层，所述液晶填充层是对磁场敏感的向列型液晶，且填充在圆柱状变截面周期波导中，波导两端用电介质层封口。本发明提供的太赫兹单模发生器，通过波导截面的周期性变化，引发其中多横模共振相互作用，有效地实现低阶模式到高阶模式的转化并输出；高阶模式损耗小、消光比高、透过率稳定，并且可调谐范围宽；制备工艺简单、价格低廉、体积小、重量轻、便于集成。
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