公开(公告)号：CN110814569A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911105304.3

申请日：2019-11-13

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 刘洋 ,  马文友 ,  李科 ,  李世朕 ,  肖男 ,  孙凤莲

IPC: B23K35/02 ,  B23K35/362

Abstract: 本发明涉及一种用于功率器件封装的多尺度Cu@Ag微纳米复合钎料及制备方法，包括Cu@Ag核壳包覆颗粒制备、各尺度Cu@Ag配比、助焊剂制备、复合钎料制备。通过液相还原法制备纳米与微米级Cu@Ag核壳包覆材料，平均粒径为50nm、5μm、20μm，依照Dinger-Funk球形颗粒堆积公式计算构成复合钎料的混合粉末中纳米包覆材料的质量分数，通过对比实验确定两种微米包覆材料的质量分数，根据计算与实验结果优选配比。本发明通过理论计算与实验相结合的办法优选出三种尺度包覆颗粒的最佳配比，相较于封装领域其它纳米材料，例如纳米银膏，在显著降低成本的同时保证了互连结构具备优异力学性能，同时实现低温连接高温服役的目的。

公开(公告)号：CN114429829B

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202111481040.9

申请日：2021-12-06

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 刘洋 ,  李科 ,  肖男 ,  刘苏诗 ,  徐永哲 ,  马驰远 ,  李世朕 ,  姚冲

IPC: H01B1/22 ,  H01B13/00 ,  H05K7/20

Abstract: 一种功率器件封装用复合膏体及其制备方法。本发明属于功率器件封装材料领域。本发明的目的是为了解决现有银烧结膏体成本高以及抗电迁移特性较差的技术问题。本发明的一种功率器件封装用复合膏体由银铜填料和有机载体制备而成，所述银铜填料为片状银和球状铜的混合物。本发明的方法：步骤1：将银铜填料和有机载体搅拌至混合均匀，得到混合膏体；步骤2：将混合膏体进行三级分散研磨，得到功率器件封装用复合膏体。本发明通过设计银铜的形状复合来实现提升复合膏体抗电迁移性能的同时降低成本的目的，本发明制备工艺简单，所得复合膏体成本低，导热性好，电迁移失效不明显，力学性能优异，显著的提高了功率器件封装的可靠性。

公开(公告)号：CN114429829A

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN202111481040.9

申请日：2021-12-06

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 刘洋 ,  李科 ,  肖男 ,  刘苏诗 ,  徐永哲 ,  马驰远 ,  李世朕 ,  姚冲

IPC: H01B1/22 ,  H01B13/00 ,  H05K7/20

Abstract: 一种功率器件封装用复合膏体及其制备方法。本发明属于功率器件封装材料领域。本发明的目的是为了解决现有银烧结膏体成本高以及抗电迁移特性较差的技术问题。本发明的一种功率器件封装用复合膏体由银铜填料和有机载体制备而成，所述银铜填料为片状银和球状铜的混合物。本发明的方法：步骤1：将银铜填料和有机载体搅拌至混合均匀，得到混合膏体；步骤2：将混合膏体进行三级分散研磨，得到功率器件封装用复合膏体。本发明通过设计银铜的形状复合来实现提升复合膏体抗电迁移性能的同时降低成本的目的，本发明制备工艺简单，所得复合膏体成本低，导热性好，电迁移失效不明显，力学性能优异，显著的提高了功率器件封装的可靠性。