Patent search ap:("哈尔滨理工大学") AND inv:"范叶霞" Page 1

1.

发明公开
锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料及其制备方法无效

公开(公告)号：CN102676167A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210165698.3

申请日：2012-05-25

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 范叶霞 , 夏士兴 , 俞泽民

IPC: C09K11/78 , C30B29/30 , C30B15/20

Abstract: 锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料及其制备方法，它涉及一种发光材料及其制备方法。本发明要解决现有LiNbO3:Ho晶体的发光效率低和抗光损伤能力弱的技术问题。本发明材料由Li2CO3、Nb2O5、ZrO2、Yb2O3和Ho2O3制成，制备方法如下：称料、混合料、原料的预烧结、引晶、放肩、等径生长、晶体的极化处理，即得锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料。本发明锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料中掺入2mol％～6mol％ZrO时，晶体的抗光损伤能力极大地提高，相对掺入0mol％ZrO的晶体，其抗光损伤能力提高了三个数量级，随着Zr离子浓度的增加，掺杂晶体的上转换发光强度逐渐增强。

Patent Agency Ranking