一种高导热树脂绝缘材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114836007B

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202210586893.7

    申请日:2022-05-27

    申请人: 四川大学

    摘要: 本发明公开了一种高导热树脂绝缘材料及其制备方法,包括以下质量份数的原料:环氧树脂30~40份,环氧树脂固化剂30~40份,环氧树脂稀释剂20~30份,环氧树脂促进剂2~3份,氮化硼纳米片‑POSS骨架一组,所述氮化硼纳米片‑POS骨架的制备过程中所使用的氮化硼纳米片粒径为15~50μm,均由对应粒径六方氮化硼剥离得到,所述氮化硼纳米片‑POSS骨架的制备过程中所使用的POSS为γ‑缩水甘油醚氧硅丙基倍半氧烷(Glycidyl POSS)材料,所述环氧树脂为双酚A型环氧树脂E51型环氧树脂,或流动性更大的环氧树脂。该绝缘材料在本身绝缘性能较好的情况下,大幅提升了导热性能,且拥有3D骨架结构,力学性能优异,生产过程消耗填料极少,成本极低,且工艺简单安全,易于批量生产。

    一种高导热树脂绝缘材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114836007A

    公开(公告)日:2022-08-02

    申请号:CN202210586893.7

    申请日:2022-05-27

    申请人: 四川大学

    摘要: 本发明公开了一种高导热树脂绝缘材料及其制备方法,包括以下质量份数的原料:环氧树脂30~40份,环氧树脂固化剂30~40份,环氧树脂稀释剂20~30份,环氧树脂促进剂2~3份,氮化硼纳米片‑POSS骨架一组,所述氮化硼纳米片‑POS骨架的制备过程中所使用的氮化硼纳米片粒径为15~50μm,均由对应粒径六方氮化硼剥离得到,所述氮化硼纳米片‑POSS骨架的制备过程中所使用的POSS为γ‑缩水甘油醚氧硅丙基倍半氧烷(Glycidyl POSS)材料,所述环氧树脂为双酚A型环氧树脂E51型环氧树脂,或流动性更大的环氧树脂。该绝缘材料在本身绝缘性能较好的情况下,大幅提升了导热性能,且拥有3D骨架结构,力学性能优异,生产过程消耗填料极少,成本极低,且工艺简单安全,易于批量生产。