一种Hg2+选择性响应型高分子材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113956397B

    公开(公告)日:2022-06-17

    申请号:CN202111223784.0

    申请日:2021-10-21

    申请人: 四川大学

    摘要: 本发明提供了一种Hg2+选择性响应型高分子材料,该高分子材料是由N‑异丙基丙烯酰胺和5′‑O‑丙烯酰基‑2′,3′‑O‑异亚丙基‑胸腺嘧啶核苷共聚形成的聚(N‑异丙基丙烯酰胺‑共聚‑5′‑O‑丙烯酰基‑2′,3′‑O‑异亚丙基‑胸腺嘧啶核苷)。本发明还提供了该Hg2+选择性响应型高分子材料的制备方法。本发明提供的高分子材料对Hg2+具有优异的特异性识别能力,其制备工艺简单,可降低现有用于检测Hg2+的材料的制备难度,并提高材料的生物安全性,有利于促进Hg2+的灵敏、便捷和专一性检测。

    以N-吡啶-2-(1H)-腈亚氨为母核的荧光分子及其制备与应用

    公开(公告)号:CN108715584B

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN201810653872.6

    申请日:2018-06-22

    IPC分类号: C07D213/74 C09K11/06

    摘要: 本发明提供了式(Ⅰ)所示化合物或其晶型、药学上可接受的盐。实验结果说明,本发明成功制备得到了以N‑吡啶‑2‑(1H)‑腈亚氨为母核的荧光分子,分子量小,易于修饰,量子产率较高,可作为荧光染料应用于洗衣粉中的增白剂、各种荧光路标漆等荧光染料产品的制备,此外还用于纤维织物印染和某些特殊标志的制作。本发明的荧光分子还可在科研中用于荧光免疫、荧光探针、细胞染色等,包括特异性的DNA染色,用于染色体分析、细胞周期、细胞凋亡等相关研究。

    一种7-脱氮嘌呤衍生物及其四元环超分子结构

    公开(公告)号:CN108516976B

    公开(公告)日:2020-07-03

    申请号:CN201810394818.4

    申请日:2018-04-27

    IPC分类号: C07D487/04 C08G83/00

    摘要: 本发明提供了一种7‑脱氮嘌呤衍生物及其四元环超分子结构。本发明首先提供了式(Ⅰ)所示化合物或其晶型,R1、R2分别独立地选自H或C1‑C5的烷基。实验结果表明,本发明成功制备得到了化合物及其晶型,并且本发明制备得到的化合物的晶型为四元超分子大环结构,呈蜂巢状,可作为一种新型的多孔超分子有机框架材料,有望在人工通道、药物传递系统、多孔材料、包裹材料或催化合成等领域得到广泛的应用。

    以N-吡啶-2-(1H)-腈亚氨为母核的荧光分子及其制备与应用

    公开(公告)号:CN108715584A

    公开(公告)日:2018-10-30

    申请号:CN201810653872.6

    申请日:2018-06-22

    IPC分类号: C07D213/74 C09K11/06

    摘要: 本发明提供了式(Ⅰ)所示化合物或其晶型、药学上可接受的盐。实验结果说明,本发明成功制备得到了以N-吡啶-2-(1H)-腈亚氨为母核的荧光分子,分子量小,易于修饰,量子产率较高,可作为荧光染料应用于洗衣粉中的增白剂、各种荧光路标漆等荧光染料产品的制备,此外还用于纤维织物印染和某些特殊标志的制作。本发明的荧光分子还可在科研中用于荧光免疫、荧光探针、细胞染色等,包括特异性的DNA染色,用于染色体分析、细胞周期、细胞凋亡等相关研究。

    具有双重碱基面识别Hg2+的温敏性线性高分子材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN116239720A

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN202310067334.X

    申请日:2023-02-06

    申请人: 四川大学

    摘要: 本发明提供了具有双重碱基面识别Hg2+的温敏性线性高分子材料,该材料为聚(N‑异丙基丙烯酰胺‑共聚‑巴比妥酸衍生物),本发明还提供了该材料的两种制备方法,第一种方法是以N‑异丙基丙烯酰胺和巴比妥酸衍生物为原料共聚合成得到,第二种方法是先以N‑异丙基丙烯酰胺和4‑羟基苯甲醛丙烯酸酯共聚制备聚(N‑异丙基丙烯酰胺‑共聚‑苯甲醛)、再引入巴比妥酸制备得到。上述制备方法的工艺简单,原料易得、价格低廉且对环境无害,解决了现有用于Hg2+检测的材料的制备过程繁琐复杂和生物安全性问题。该材料可利用两个面来识别Hg2+,与Hg2+形成1:1稳定的配位复合物,这有利于降低分子构象对Hg2+识别的干扰,增加对Hg2+的响应灵敏度。

    一种具有高孔隙率的三维网状结构晶体及其制备方法

    公开(公告)号:CN110551130B

    公开(公告)日:2022-04-19

    申请号:CN201910727502.7

    申请日:2019-08-07

    IPC分类号: C07D487/04 A61P35/00

    摘要: 本发明提供了化合物1的晶体,所述晶体为单斜晶系,空间群为P 121/n;所述晶体的晶胞参数为:α=90°,β=90.024±0.008°,γ=90°;或,α=90°,β=113.35±0.03°,实验证明,本发明制得的化合物1能够形成2种不同的晶体:晶体1和晶体2,表明化合物1存在多晶型现象。其中,晶体1通过大量的氢键作用与C‑H‑π作用,使配位水分子与晶体骨架堆积成具有高孔隙率的三维网状结构;而晶体2中分子间的连接方式与排列方式有显著的差别,它仅通过N‑H…N和O‑H…N两种氢键作用与C‑H…π作用使化合物1分子堆积成无孔三维交叉结构。这种特殊的晶体结构使得化合物1具有良好的热稳定性、明显的分层结构和颇高的孔隙率,在制备介孔材料、载药材料、人工通道材料领域具有很好的应用潜力。

    一种具有高孔隙率的三维网状结构晶体及其制备方法

    公开(公告)号:CN110551130A

    公开(公告)日:2019-12-10

    申请号:CN201910727502.7

    申请日:2019-08-07

    IPC分类号: C07D487/04 A61P35/00

    摘要: 本发明提供了化合物1的晶体,所述晶体为单斜晶系,空间群为P 121/n;所述晶体的晶胞参数为:α=90°,β=90.024±0.008°,γ=90°;或,α=90°,β=113.35±0.03°, 实验证明,本发明制得的化合物1能够形成2种不同的晶体:晶体1和晶体2,表明化合物1存在多晶型现象。其中,晶体1通过大量的氢键作用与C-H-π作用,使配位水分子与晶体骨架堆积成具有高孔隙率的三维网状结构;而晶体2中分子间的连接方式与排列方式有显著的差别,它仅通过N-H…N和O-H…N两种氢键作用与C-H…π作用使化合物1分子堆积成无孔三维交叉结构。这种特殊的晶体结构使得化合物1具有良好的热稳定性、明显的分层结构和颇高的孔隙率,在制备介孔材料、载药材料、人工通道材料领域具有很好的应用潜力。