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公开(公告)号：CN112852078B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110047669.6
申请日：2021-01-14
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明提供一种基于选择性激光烧结制备聚偏二氟乙烯基压电泡沫制件的方法，该方法是将聚偏二氟乙烯粉体作为主要原料，通过选择性激光烧结工艺制备激光烧结制件，再将激光烧结制件采用超临界二氧化碳釜压发泡法制备得到PVDF基泡沫制件，最后极化处理即得PVDF基压电泡沫制件。本发明通过对超临界二氧化碳釜压发泡法工艺参数限定，以及与选择性激光烧结的配合作用，保持并进一步提高了制备过程中聚偏二氟乙烯的β晶型含量，通过该方法制备得到的PVDF基压电泡沫制品，在添加无机填料的情况下其压缩模量可达1.44MPa，压电输出最高为20.9V。
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公开(公告)号：CN112895436A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110048340.1
申请日：2021-01-14
Applicant: 四川大学
IPC: B29C64/153 , B29C64/314 , B29B13/06 , B29C44/60 , B33Y10/00 , B33Y40/10
Abstract: 本发明提供一种通过SLS与ScFCO2结合制备聚合物基压电泡沫制件的方法，该方法是将压电功能性聚合物粉体或压电功能性聚合物粉体与无机填料粉体的混合粉体作为主要原料，通过选择性激光烧结工艺制备激光烧结制件，再将激光烧结制件采用超临界二氧化碳釜压发泡法制备得到聚合物基泡沫制件，最后极化处理即得聚合物基压电泡沫制件。本发明该方法通过对超临界二氧化碳釜压发泡法工艺参数限定，以及与选择性激光烧结的配合作用，利用选择性激光烧结工艺过程中产生的特殊孔隙结构，进一步提高超临界二氧化碳釜压发泡法过程中CO2的扩散作用，从而显著提高最终制备所得聚合物基压电泡沫制件的压电性能和压缩模量。
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公开(公告)号：CN113679390A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110943747.0
申请日：2021-08-17
Applicant: 四川大学华西第二医院
Abstract: 本发明涉及医疗器械技术领域，且公开了一种无线心电监护仪，包括信号处理装置、第一电极片、第二电极片和第三电极片，信号处理装置包括信号处理器和信号连接器，信号处理器和信号连接器电信号连接，第三电极片与第二电极片之间固定安装有第三导线。该一种无线心电监护仪，本发明相比传统的心电监护仪，减少了线材的使用，在保证有效的监测患者的生命体征的前提下，保证了美观，舒适度，安全度，本发明通过设置第一套筒、第二套筒和胶片，胶片含有不干胶，可贴于人体，方便将相邻两电极片之间的导线中部固定，避免导线杂乱的情况，不用时卷于对应的第一套筒和第二套筒内，不仅美观，而且更加舒适。
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公开(公告)号：CN112895436B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110048340.1
申请日：2021-01-14
Applicant: 四川大学
IPC: B29C64/153 , B29C64/314 , B29B13/06 , B29C44/60 , B33Y10/00 , B33Y40/10
Abstract: 本发明提供一种通过SLS与ScFCO2结合制备聚合物基压电泡沫制件的方法，该方法是将压电功能性聚合物粉体或压电功能性聚合物粉体与无机填料粉体的混合粉体作为主要原料，通过选择性激光烧结工艺制备激光烧结制件，再将激光烧结制件采用超临界二氧化碳釜压发泡法制备得到聚合物基泡沫制件，最后极化处理即得聚合物基压电泡沫制件。本发明该方法通过对超临界二氧化碳釜压发泡法工艺参数限定，以及与选择性激光烧结的配合作用，利用选择性激光烧结工艺过程中产生的特殊孔隙结构，进一步提高超临界二氧化碳釜压发泡法过程中CO2的扩散作用，从而显著提高最终制备所得聚合物基压电泡沫制件的压电性能和压缩模量。
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公开(公告)号：CN112852078A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110047669.6
申请日：2021-01-14
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明提供一种基于选择性激光烧结制备聚偏二氟乙烯基压电泡沫制件的方法，该方法是将聚偏二氟乙烯粉体作为主要原料，通过选择性激光烧结工艺制备激光烧结制件，再将激光烧结制件采用超临界二氧化碳釜压发泡法制备得到PVDF基泡沫制件，最后极化处理即得PVDF基压电泡沫制件。本发明通过对超临界二氧化碳釜压发泡法工艺参数限定，以及与选择性激光烧结的配合作用，保持并进一步提高了制备过程中聚偏二氟乙烯的β晶型含量，通过该方法制备得到的PVDF基压电泡沫制品，在添加无机填料的情况下其压缩模量可达1.44MPa，压电输出最高为20.9V。
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