公开(公告)号：CN116707321A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310990536.1

申请日：2023-08-08

申请人： 四川英杰电气股份有限公司

发明人： 罗阳 ,  刘毅 ,  邓永华 ,  谭兵

IPC分类号： H02M5/257 ,  C01B33/021 ,  H02M5/12 ,  H02M1/06 ,  H02M1/32 ,  H02M1/00

摘要： 本发明涉及一种多晶硅还原电源及其控制方法，主要包括主变压器、功率控制组件、调节组件、升压变压器、维持开关、击穿开关、保护开关、打压开关、切换开关、主开关；主要采用调节组件和升压变压器对硅芯组实施高压击穿，结合维持开关对击穿后的硅芯组予以维持，再运用功率控制组件使击穿后的硅芯组处于运行状态；通过保护开关对功率控制组件实现零电压保护，有效防止了击穿硅芯过程中高压串入功率控制组件，减少了功率控制组件输出端与硅芯组之间的开关器件，节省了开关器件，降低了成本和开关器件的损耗。通过采用反并联晶闸管组与可控开关组合而成的主开关，相对传统真空断路器体积更小，节省了多晶硅还原电源柜体的体积和占地空间。

公开(公告)号：CN116707321B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202310990536.1

申请日：2023-08-08

申请人： 四川英杰电气股份有限公司

发明人： 罗阳 ,  刘毅 ,  邓永华 ,  谭兵

IPC分类号： H02M5/257 ,  C01B33/021 ,  H02M5/12 ,  H02M1/06 ,  H02M1/32 ,  H02M1/00

摘要： 本发明涉及一种多晶硅还原电源及其控制方法，主要包括主变压器、功率控制组件、调节组件、升压变压器、维持开关、击穿开关、保护开关、打压开关、切换开关、主开关；主要采用调节组件和升压变压器对硅芯组实施高压击穿，结合维持开关对击穿后的硅芯组予以维持，再运用功率控制组件使击穿后的硅芯组处于运行状态；通过保护开关对功率控制组件实现零电压保护，有效防止了击穿硅芯过程中高压串入功率控制组件，减少了功率控制组件输出端与硅芯组之间的开关器件，节省了开关器件，降低了成本和开关器件的损耗。通过采用反并联晶闸管组与可控开关组合而成的主开关，相对传统真空断路器体积更小，节省了多晶硅还原电源柜体的体积和占地空间。