公开(公告)号：CN101884069B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN200880118973.8

申请日：2008-12-05

申请人： 因特瓦克公司

发明人： K·P·费尔贝恩 ,  M·S.·巴恩斯 ,  T·布卢克 ,  R·徐 ,  C·刘 ,  R·科恩斯

IPC分类号： G11B17/00

CPC分类号： G11B5/84 ,  G11B5/855 ,  H01J37/3438

摘要： 本发明公开一种蚀刻用于硬驱的构图介质磁盘的系统。设计该模块化系统以执行具体工艺序列，从而在未从真空环境中移除磁盘的情况下制造构图介质磁盘。在一些序列中蚀刻磁叠置体而在另一些序列中在形成所述磁叠置体之前执行蚀刻。在另一序列中，使用离子注入而非蚀刻步骤。对于蚀刻，利用可移动非接触电极执行溅射蚀刻。阴极移动到衬底的接触距离附近但是不接触该衬底以将RF能量耦合到磁盘。将衬底垂直固定在载体中并且依次蚀刻两侧。即，在一个腔室中蚀刻一侧而在下一个腔室中蚀刻第二侧。

公开(公告)号：CN103093766A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210404563.8

申请日：2008-12-05

申请人： 因特瓦克公司

发明人： K·P.·费尔贝恩 ,  M·S.·巴恩斯 ,  T·布卢克 ,  R·徐 ,  C·刘 ,  R·科恩斯

IPC分类号： G11B5/855

CPC分类号： G11B5/84 ,  G11B5/855 ,  H01J37/3438

摘要： 本发明公开一种蚀刻用于硬驱的构图介质磁盘的系统。设计该模块化系统以执行具体工艺序列，从而在未从真空环境中移除磁盘的情况下制造构图介质磁盘。在一些序列中蚀刻磁叠置体而在另一些序列中在形成所述磁叠置体之前执行蚀刻。在另一序列中，使用离子注入而非蚀刻步骤。对于蚀刻，利用可移动非接触电极执行溅射蚀刻。阴极移动到衬底的接触距离附近但是不接触该衬底以将RF能量耦合到磁盘。将衬底垂直固定在载体中并且依次蚀刻两侧。即，在一个腔室中蚀刻一侧而在下一个腔室中蚀刻第二侧。

公开(公告)号：CN101884069A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200880118973.8

申请日：2008-12-05

申请人： 因特瓦克公司

发明人： K·P·费尔贝恩 ,  M·S.·巴恩斯 ,  T·布卢克 ,  R·徐 ,  C·刘 ,  R·科恩斯

IPC分类号： G11B17/00

CPC分类号： G11B5/84 ,  G11B5/855 ,  H01J37/3438

摘要： 本发明公开一种蚀刻用于硬驱的构图介质磁盘的系统。设计该模块化系统以执行具体工艺序列，从而在未从真空环境中移除磁盘的情况下制造构图介质磁盘。在一些序列中蚀刻磁叠置体而在另一些序列中在形成所述磁叠置体之前执行蚀刻。在另一序列中，使用离子注入而非蚀刻步骤。对于蚀刻，利用可移动非接触电极执行溅射蚀刻。阴极移动到衬底的接触距离附近但是不接触该衬底以将RF能量耦合到磁盘。将衬底垂直固定在载体中并且依次蚀刻两侧。即，在一个腔室中蚀刻一侧而在下一个腔室中蚀刻第二侧。