公开(公告)号：CN110249515B

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201780066206.6

申请日：2017-10-27

申请人： 因特莱索有限责任公司

发明人： 马克·特勒富斯 ,  哈利·罗德里古伊兹

IPC分类号： H02M1/08 ,  G05F1/45 ,  H03K17/785

摘要： 描述了一种用于控制从AC源到负载的功率的双向开关。该方法使用双向开关子电路配置中的功率MOSFET，所述双向开关子电路配置具有光耦合的、电气浮置控制电路，该电气浮置控制电路将开关自偏置至“开启”状态，并且使用光耦合控制元件来迫使开关进入“关闭”状态。控制电路的时间常数足够快，得以进行相位控制以及开启‑关闭(on‑off)控制。包括升压电路以确保控制电压超过MOSFET的阈值电压，以迫使进入关闭状态。可以容易地级联多个子电路以提供改进的性能。

公开(公告)号：CN110249515A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201780066206.6

申请日：2017-10-27

申请人： 因特莱索有限责任公司

发明人： 马克·特勒富斯 ,  哈利·罗德里古伊兹

IPC分类号： H02M1/08 ,  G05F1/45 ,  H03K17/785

摘要： 描述了一种用于控制从AC源到负载的功率的双向开关。该方法使用双向开关子电路配置中的功率MOSFET，所述双向开关子电路配置具有光耦合的、电气浮置控制电路，该电气浮置控制电路将开关自偏置至“开启”状态，并且使用光耦合控制元件来迫使开关进入“关闭”状态。控制电路的时间常数足够快，得以进行相位控制以及开启-关闭(on-off)控制。包括升压电路以确保控制电压超过MOSFET的阈值电压，以迫使进入关闭状态。可以容易地级联多个子电路以提供改进的性能。