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公开(公告)号:CN104092389A
公开(公告)日:2014-10-08
申请号:CN201410354732.0
申请日:2014-07-24
申请人: 国家电网公司 , 国网四川省电力公司电力科学研究院 , 上海交通大学
摘要: 本发明公开了一种低损耗整流电路,其包括第一、第二、第三、第四二极管;此外其还包括:与所述四个二极管对应并联的四个MOSFET;逻辑控制模块,其包括信号分压器、比较电路、反向器和三态门,所述逻辑控制模块控制各MOSFET的导通和截断,以使各MOSFET在导通的状态下替代与其对应并联的二极管作为整流变换信号的通道。本发明公开的低损耗整流电路,其使得整流电路具有极低的整流压降,从而能有效减少整流电路的损耗。
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公开(公告)号:CN104092389B
公开(公告)日:2016-09-07
申请号:CN201410354732.0
申请日:2014-07-24
申请人: 国家电网公司 , 国网四川省电力公司电力科学研究院 , 上海交通大学
摘要: 本发明公开了一种低损耗整流电路,其包括第一、第二、第三、第四二极管;此外其还包括:与所述四个二极管对应并联的四个MOSFET;逻辑控制模块,其包括信号分压器、比较电路、反向器和三态门,所述逻辑控制模块控制各MOSFET的导通和截断,以使各MOSFET在导通的状态下替代与其对应并联的二极管作为整流变换信号的通道。本发明公开的低损耗整流电路,其使得整流电路具有极低的整流压降,从而能有效减少整流电路的损耗。
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公开(公告)号:CN104092391B
公开(公告)日:2017-01-25
申请号:CN201410354831.9
申请日:2014-07-24
申请人: 国家电网公司 , 国网四川省电力公司电力科学研究院 , 上海交通大学
IPC分类号: H02M7/23
摘要: 本发明公开了一种感应取电电源用零损耗整流电路,包括第一、第二、第三、第四二极管;此外其还包括:与所述四个二极管对应并联的四个MOSFET;逻辑控制模块,其包括信号分压器和比较电路,所述逻辑控制模块控制各MOSFET的导通和截断,以使各MOSFET在导通的状态下替代与其对应并联的二极管作为整流变换信号的通道。本发明公开的感应取电电源用零损耗整流电路,其使得整流电路实现零整流压降,从而实现整流电路的零损耗。
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公开(公告)号:CN104092391A
公开(公告)日:2014-10-08
申请号:CN201410354831.9
申请日:2014-07-24
申请人: 国家电网公司 , 国网四川省电力公司电力科学研究院 , 上海交通大学
IPC分类号: H02M7/23
摘要: 本发明公开了一种感应取电电源用零损耗整流电路,包括第一、第二、第三、第四二极管;此外其还包括:与所述四个二极管对应并联的四个MOSFET;逻辑控制模块,其包括信号分压器和比较电路,所述逻辑控制模块控制各MOSFET的导通和截断,以使各MOSFET在导通的状态下替代与其对应并联的二极管作为整流变换信号的通道。本发明公开的感应取电电源用零损耗整流电路,其使得整流电路实现零整流压降,从而实现整流电路的零损耗。
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公开(公告)号:CN203951380U
公开(公告)日:2014-11-19
申请号:CN201420410992.0
申请日:2014-07-24
申请人: 国家电网公司 , 国网四川省电力公司电力科学研究院 , 上海交通大学
IPC分类号: H02M7/23
摘要: 本实用新型公开了一种感应取电电源用零损耗整流电路,包括第一、第二、第三、第四二极管;此外其还包括:与所述四个二极管对应并联的四个MOSFET;逻辑控制模块,其包括信号分压器和比较电路,所述逻辑控制模块控制各MOSFET的导通和截断,以使各MOSFET在导通的状态下替代与其对应并联的二极管作为整流变换信号的通道。本实用新型公开的感应取电电源用零损耗整流电路,其使得整流电路实现零整流压降,从而实现整流电路的零损耗。
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公开(公告)号:CN203951378U
公开(公告)日:2014-11-19
申请号:CN201420411073.5
申请日:2014-07-24
申请人: 国家电网公司 , 国网四川省电力公司电力科学研究院 , 上海交通大学
摘要: 本实用新型公开了一种低损耗整流电路,其包括第一、第二、第三、第四二极管;此外其还包括:与所述四个二极管对应并联的四个MOSFET;逻辑控制模块,其包括信号分压器、比较电路、反向器和三态门,所述逻辑控制模块控制各MOSFET的导通和截断,以使各MOSFET在导通的状态下替代与其对应并联的二极管作为整流变换信号的通道。本实用新型公开的低损耗整流电路,其使得整流电路具有极低的整流压降,从而能有效减少整流电路的损耗。
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