盆式绝缘子沿面闪络前后表面电荷分布的测量装置及方法

    公开(公告)号:CN111505463A

    公开(公告)日:2020-08-07

    申请号:CN202010471862.8

    申请日:2020-05-28

    IPC分类号: G01R31/12

    摘要: 公开了盆式绝缘子沿面闪络前后表面电荷分布的测量装置及方法,装置中,限流电阻并联连接高压直流源,GIS腔体连接限流电阻,GIS腔体充满预定压力的气体,相同的第一盆式绝缘子和第二盆式绝缘子并联设置于GIS腔体中,高压直流源施加预定幅值和预定时间的电压到第一盆式绝缘子和第二盆式绝缘子以发生沿面闪络,表面电荷测量装置连接GIS腔体,静电探头获得第一盆式绝缘子和第二盆式绝缘子的第一表面电荷分布和第二表面电荷分布,电荷放大器连接静电探头以放大第一表面电荷分布和第二表面电荷分布,第一表面电荷分布和第二表面电荷分布中较高的为盆式绝缘子沿面闪络后表面电荷分布,较低的为盆式绝缘子沿面闪络前表面电荷分布。

    盆式绝缘子沿面闪络前后表面电荷分布的测量装置及方法

    公开(公告)号:CN111505463B

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202010471862.8

    申请日:2020-05-28

    IPC分类号: G01R31/12

    摘要: 公开了盆式绝缘子沿面闪络前后表面电荷分布的测量装置及方法,装置中,限流电阻并联连接高压直流源,GIS腔体连接限流电阻,GIS腔体充满预定压力的气体,相同的第一盆式绝缘子和第二盆式绝缘子并联设置于GIS腔体中,高压直流源施加预定幅值和预定时间的电压到第一盆式绝缘子和第二盆式绝缘子以发生沿面闪络,表面电荷测量装置连接GIS腔体,静电探头获得第一盆式绝缘子和第二盆式绝缘子的第一表面电荷分布和第二表面电荷分布,电荷放大器连接静电探头以放大第一表面电荷分布和第二表面电荷分布,第一表面电荷分布和第二表面电荷分布中较高的为盆式绝缘子沿面闪络后表面电荷分布,较低的为盆式绝缘子沿面闪络前表面电荷分布。

    盆式绝缘子外屏蔽结构的优化方法

    公开(公告)号:CN111507029A

    公开(公告)日:2020-08-07

    申请号:CN202010126223.8

    申请日:2020-02-27

    IPC分类号: G06F30/23

    摘要: 本发明公开了一种盆式绝缘子外屏蔽结构的优化方法,方法包括以下步骤:基于盆式绝缘子建立电场有限元分析模型,其中,所述模型应包括盆式绝缘子本体、气体域和基础母线,基于插值曲线绘制盆式绝缘子外屏蔽结构,所述插值曲线包括若干控制点组成的凹面外屏蔽结构插值曲线和凸面外屏蔽结构插值曲线,对所述盆式绝缘子本体、气体域、基础母线及外屏蔽结构施加边界条件,基于优化目标函数、控制变量及约束条件通过优化算法优化外屏蔽结构,其中,优化目标函数包括外屏蔽电极及基础母线表面电场最大值,控制变量包括所述控制点径向坐标与基础母线半径之比,调整优化后的外屏蔽结构使其可加工安装。