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公开(公告)号：CN116324032A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180053197.3
申请日：2021-08-25
Applicant: 国家科学研究所物理和技术科学中心
Inventor： 埃尔多纳·嘉明尼 , 伊娜·斯坦科维奇 , 卡洛里斯·拉托塔斯 , 乌金尤思·诺库斯 , 格迪米纳斯·拉斯凯提斯
IPC: C23C18/16
Abstract: 本发明涉及在铜表面上选择性沉积镍层。本发明可以用于电子电路的导电区域的生产。用于在铜表面上沉积镍的方法包括：将待与镍层一起沉积的制品浸入一个或多个浴槽中，其中至少一个浴槽包含还原剂，并且其中至少一个浴槽适于(无电)镀镍。为了扩大应用领域并获得实际上纯的镍涂层，该还原剂包含硼酸或磷酸化合物，其包括吗啉硼烷(C4H9BNO)、或二甲胺硼烷(C2H7BN)、或四氢硼酸钠(NaBH4)、或次磷酸钠(NaBH4)，并且该还原剂直接或间接还原铜表面上的不溶性铜(I)或铜(II)化合物。
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