公开(公告)号：CN118638257A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410670695.8

申请日：2024-05-28

申请人： 国投陶瓷基复合材料研究院(西安)有限公司

发明人： 余兆菊

IPC分类号： C08F120/08 ,  C08F2/44 ,  C04B35/56 ,  C04B35/622

摘要： 本发明公开了一种高熵陶瓷有机先驱体及其制备方法和应用，涉及复相陶瓷制备技术领域。该方法包括以下步骤：在惰性气体保护气氛中，将钛源、锆源、铌源、铪源和钽源添加到碳源中，搅拌，然后加入醇，反应，脱除溶剂，然后真空干燥，制得(Ti0.2Zr0.2Nb0.2Hf0.2Ta0.2)C高熵陶瓷有机先驱体，即为高熵陶瓷有机先驱体。本发明具有原料廉价简便易得、工艺简单、制备周期短、成本低、先驱体分子结构新颖、陶瓷产率高以及溶解性能好的特点。本发明解决了现有技术中的制备高熵陶瓷有机先驱体的方法反应路线复杂、成本高、产率低、含杂质以及溶解性差的问题。

公开(公告)号：CN118420816A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410670687.3

申请日：2024-05-28

申请人： 国投陶瓷基复合材料研究院(西安)有限公司

发明人： 余兆菊

IPC分类号： C08F120/08 ,  C08F2/44 ,  C08K3/16 ,  C08K3/18 ,  C08K5/057 ,  C04B35/56

摘要： 本发明公开了一种碳化铪陶瓷有机先驱体及其制备方法和应用，碳化铪陶瓷材料制备技术领域。该方法包括以下步骤：在惰性气体保护气氛中，将铪源添加到碳源中，搅拌，然后加入醇，反应，得到反应溶液；脱除溶剂，然后干燥，得到固体，即为碳化铪陶瓷有机先驱体。本发明方法具有原料廉价简便易得、工艺简单、制备周期短、成本低、先驱体分子陶瓷产率高的特点；制得产物结构新颖、溶解性能好，适用于制备陶瓷改性碳/碳复合材料的浸渍剂，在航天器外壳等热防护材料领域中有着重要的应用。本发明解决了现有技术中的制备HfC陶瓷有机先驱体的方法反应路线复杂、成本高、产率低、含杂质以及溶解性差的问题。

公开(公告)号：CN118637922A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410670683.5

申请日：2024-05-28

申请人： 国投陶瓷基复合材料研究院(西安)有限公司

发明人： 余兆菊

IPC分类号： C04B35/571 ,  C04B35/56 ,  C04B35/626 ,  C04B35/80

摘要： 本发明公开了一种金属碳化物/碳化硅复相陶瓷有机先驱体及其制备方法和应用，涉及复相陶瓷制备技术领域。该方法包括以下步骤：在惰性气氛下，将金属碳化物先驱体和液态超支化聚碳硅烷加入共溶剂中，于室温条件下搅拌，采用减压蒸馏脱除溶剂，得到固体，即为金属碳化物/碳化硅复相陶瓷有机先驱体。本发明具有原料简便易得、工艺简单、制备周期短、成本低、先驱体分子结构新颖、陶瓷相组成可控、高温抗氧化性能好、陶瓷产率高以及溶解性能好的特点。本发明解决了现有技术中制备复相陶瓷有机先驱体的方法反应路线复杂以及产品性能和溶解性差的问题。