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公开(公告)号：CN112181709B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202010932131.9
申请日：2020-09-08
Applicant: 国电南瑞科技股份有限公司 , 国电南瑞南京控制系统有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司华东分部 , 国家电网有限公司 , 南瑞集团有限公司 , 国网电力科学研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种FPGA芯片的RAM存储区单粒子效应容错方法，通过压缩冗余方式实现了全存储区任意比特的单粒子效应错误检测，并基于流水线方式对单位长度数据进行校验码计算，在单个时钟周期内完成校验码生成与比较，达到数据的快速检错与即时纠错目的。本发明所述方法消耗的硬件资源少，实时性能较高，适用于FPGA芯片存储区数据的错误恢复，可提高设计可靠性，进而保证了电力二次设备系统的运行性能与可靠性。
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公开(公告)号：CN112053737B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202010849103.0
申请日：2020-08-21
Applicant: 国电南瑞科技股份有限公司 , 国电南瑞南京控制系统有限公司
Abstract: 本发明公开了一种在线并行处理的软错误实时检错与恢复方法及系统，将被保护RAM空间分成多个被保护区域；将所有被保护区域分成1个或多个级别，最高级别为每个中断周期完成一次检错与恢复功能；其他级别为多个中断周期完成一次检错与恢复功能；将各级别被保护区域注册生成与级别数量相应的链表，将各链表及链表中被保护区域备份至少两份到其他RAM空间；并行处理各级别链表及链表中各被保护区域的检错与恢复本发明能够实现关键场景下高重要等级的数据在控制系统单个中断节拍内完校验、裁决和纠正恢复，同时不依赖CPU处理器自身，可以实时并行处理，能够实现CPU处理器RAM存储器多个位置同时异常变位时在线实时检错纠错功能。
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公开(公告)号：CN112181709A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010932131.9
申请日：2020-09-08
Applicant: 国电南瑞科技股份有限公司 , 国电南瑞南京控制系统有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司华东分部 , 国家电网有限公司 , 南瑞集团有限公司 , 国网电力科学研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种FPGA芯片的RAM存储区单粒子效应容错方法，通过压缩冗余方式实现了全存储区任意比特的单粒子效应错误检测，并基于流水线方式对单位长度数据进行校验码计算，在单个时钟周期内完成校验码生成与比较，达到数据的快速检错与即时纠错目的。本发明所述方法消耗的硬件资源少，实时性能较高，适用于FPGA芯片存储区数据的错误恢复，可提高设计可靠性，进而保证了电力二次设备系统的运行性能与可靠性。
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公开(公告)号：CN112053737A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010849103.0
申请日：2020-08-21
Applicant: 国电南瑞科技股份有限公司 , 国电南瑞南京控制系统有限公司
Abstract: 本发明公开了一种在线并行处理的软错误实时检错与恢复方法及系统，将被保护RAM空间分成多个被保护区域；将所有被保护区域分成1个或多个级别，最高级别为每个中断周期完成一次检错与恢复功能；其他级别为多个中断周期完成一次检错与恢复功能；将各级别被保护区域注册生成与级别数量相应的链表，将各链表及链表中被保护区域备份至少两份到其他RAM空间；并行处理各级别链表及链表中各被保护区域的检错与恢复本发明能够实现关键场景下高重要等级的数据在控制系统单个中断节拍内完校验、裁决和纠正恢复，同时不依赖CPU处理器自身，可以实时并行处理，能够实现CPU处理器RAM存储器多个位置同时异常变位时在线实时检错纠错功能。
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