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公开(公告)号：CN112181735A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010931932.3
申请日：2020-09-08
申请人： 国电南瑞科技股份有限公司 , 国电南瑞南京控制系统有限公司 , 国家电网有限公司华东分部 , 国网江苏省电力有限公司 , 国网江苏省电力有限公司检修分公司 , 国家电网有限公司 , 南瑞集团有限公司 , 国网电力科学研究院有限公司
摘要： 本发明公开了FPGA芯片内定值及参数单粒子效应的检错装置及方法，针对在电力二次装置内的FPGA芯片须配置的平台定值、参数等重要数据，通过三模冗余架构与时间反馈冗余架构相结合的架构实现了定值、参数等配置数据单粒子效应错误的监视与错误恢复。本发明实现了错误数据不出口及错误数据的即时恢复，解决了单粒子效应影响配置数据引起的误动、拒动或误操作等严重影响电力系统运行安全的问题，同时，不依赖于外部处理器。
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公开(公告)号：CN112181735B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202010931932.3
申请日：2020-09-08
申请人： 国电南瑞科技股份有限公司 , 国电南瑞南京控制系统有限公司 , 国家电网有限公司华东分部 , 国网江苏省电力有限公司 , 国网江苏省电力有限公司检修分公司 , 国家电网有限公司 , 南瑞集团有限公司 , 国网电力科学研究院有限公司
摘要： 本发明公开了FPGA芯片内定值及参数单粒子效应的检错装置及方法，针对在电力二次装置内的FPGA芯片须配置的平台定值、参数等重要数据，通过三模冗余架构与时间反馈冗余架构相结合的架构实现了定值、参数等配置数据单粒子效应错误的监视与错误恢复。本发明实现了错误数据不出口及错误数据的即时恢复，解决了单粒子效应影响配置数据引起的误动、拒动或误操作等严重影响电力系统运行安全的问题，同时，不依赖于外部处理器。
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公开(公告)号：CN112181709A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010932131.9
申请日：2020-09-08
申请人： 国电南瑞科技股份有限公司 , 国电南瑞南京控制系统有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司华东分部 , 国家电网有限公司 , 南瑞集团有限公司 , 国网电力科学研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种FPGA芯片的RAM存储区单粒子效应容错方法，通过压缩冗余方式实现了全存储区任意比特的单粒子效应错误检测，并基于流水线方式对单位长度数据进行校验码计算，在单个时钟周期内完成校验码生成与比较，达到数据的快速检错与即时纠错目的。本发明所述方法消耗的硬件资源少，实时性能较高，适用于FPGA芯片存储区数据的错误恢复，可提高设计可靠性，进而保证了电力二次设备系统的运行性能与可靠性。
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公开(公告)号：CN112181709B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202010932131.9
申请日：2020-09-08
申请人： 国电南瑞科技股份有限公司 , 国电南瑞南京控制系统有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司华东分部 , 国家电网有限公司 , 南瑞集团有限公司 , 国网电力科学研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种FPGA芯片的RAM存储区单粒子效应容错方法，通过压缩冗余方式实现了全存储区任意比特的单粒子效应错误检测，并基于流水线方式对单位长度数据进行校验码计算，在单个时钟周期内完成校验码生成与比较，达到数据的快速检错与即时纠错目的。本发明所述方法消耗的硬件资源少，实时性能较高，适用于FPGA芯片存储区数据的错误恢复，可提高设计可靠性，进而保证了电力二次设备系统的运行性能与可靠性。
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公开(公告)号：CN117033043A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310899792.X
申请日：2023-07-21
申请人： 国电南瑞南京控制系统有限公司 , 国网电力科学研究院有限公司 , 国网山东省电力公司超高压公司
摘要： 本发明公开了一种电力二次设备存储芯片数据存储可靠性设计方法及系统，包括对电力二次设备的CPU芯片通过PCIE接口扩展处理模块FPGA并外接DDRRAM存储芯片，将CPU芯片放入PCIE的映射空间中，并传送到BLOCK RAM的存储空间中，通过计算FPGA得出BLOCKRAM中需要校验的数据的校验码，并传送到PCIE映射空间中，通过计算出的校验码来判断数据存储可靠性。本发明为解决现有电力二次设备存储芯片数据变位造成的电网事故问题，通过FPGA实时快速计算校验码，并由CPU根据校验结果实时判断内部RAM存储和FLASH存储芯片存储的保护控制程序和定值参数等相关关键数据是否异常，检查到异常后立刻实时进行异常数据的恢复处理，保障电力二次设备稳定可靠的运行。
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公开(公告)号：CN111865551B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202010667374.4
申请日：2020-07-13
申请人： 国电南瑞科技股份有限公司 , 国电南瑞南京控制系统有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于快速总线、多级系统协调管理的装置及其管理方法，装置为采用高速以太网构建的多插件互联系统，包括主处理器插件、高速通信交换矩阵、通信总线与从处理器插件；多插件互联系统通过以太网总线在高速通信交换矩阵处实现全双工，任意插件之间的高速数据交互；主处理器插件的管理CPU通过以太网线路与高速通信交换矩阵连接。本发明的装置及其管理方法解决集中式数字化保护、集群测控等装置管理总线通信速率低、时延大，带来的管理业务通信接口设计复杂和管理功能不稳定问题，同时能够解决单一的集中式管理机制带来的管理效率低和系统启动时间过长问题。
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公开(公告)号：CN110324084B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201910511339.0
申请日：2019-06-13
申请人： 国电南瑞科技股份有限公司 , 国电南瑞南京控制系统有限公司
摘要： 本发明公开了一种光纤供能系统的带内通信系统及方法，包括含激光器电流调制模块、激光器电流驱动模块、光电池状态采集模块，根据实时采集光电池侧电压解调信号的特征，闭环调节激光器电流调制深度。本发明在提高系统可靠性的同时实现了不同工况下，较高速率、较大容量POF带内数据的可靠传输。本发明方法对POF系统正常供能效率影响小，核心LD器件一直处于通态工作区，不受开关冲击及开关损耗，大大增加了系统可靠性及寿命。
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公开(公告)号：CN112052119A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010868388.2
申请日：2020-08-26
申请人： 国电南瑞科技股份有限公司 , 国电南瑞南京控制系统有限公司
摘要： 本发明公开了一种FPGA芯片的时钟状态单粒子效应检错装置及方法，包括第一晶振、第二晶振和FPGA芯片，所述FPGA芯片内设置有工作时钟产生单元、时钟检错单元和时钟错误恢复单元。本发明所述装置使用独立的第二晶振直接构建监视回路，通过比较第二晶振与工作时钟统计周期内的差异，判断工作时钟的稳定性，对FPGA芯片内时钟资源进行了单粒子效应错误监视，还实现了错误时钟的快速恢复。本发明所述方法不依赖于外部处理器，检错纠错采用独立硬件回路实现，极大降低了单粒子效应对电力二次设备的不利影响，提高了电力二次设备可靠性。
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公开(公告)号：CN112052119B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202010868388.2
申请日：2020-08-26
申请人： 国电南瑞科技股份有限公司 , 国电南瑞南京控制系统有限公司
摘要： 本发明公开了一种FPGA芯片的时钟状态单粒子效应检错装置及方法，包括第一晶振、第二晶振和FPGA芯片，所述FPGA芯片内设置有工作时钟产生单元、时钟检错单元和时钟错误恢复单元。本发明所述装置使用独立的第二晶振直接构建监视回路，通过比较第二晶振与工作时钟统计周期内的差异，判断工作时钟的稳定性，对FPGA芯片内时钟资源进行了单粒子效应错误监视，还实现了错误时钟的快速恢复。本发明所述方法不依赖于外部处理器，检错纠错采用独立硬件回路实现，极大降低了单粒子效应对电力二次设备的不利影响，提高了电力二次设备可靠性。
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公开(公告)号：CN112052113A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010868383.X
申请日：2020-08-26
申请人： 国电南瑞科技股份有限公司 , 国电南瑞南京控制系统有限公司
摘要： 本发明公开了一种通信链路层报文单粒子效应容错方法及装置，通过在FPGA链路层中增加报文实时回读通道，对实时回读报文与原始应用数据进行比较，判断数据出错后基于两种错误处理方法实现了通信链路层报文传输过程的单粒子效应的容错处理。本发明所述方法不依赖于外部处理器，可避免因单粒子效应影响FPGA带来的SV、GOOSE报文误输出、引起保护误动等严重问题，大大提高了电力系统二次设备的可靠性。
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