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公开(公告)号：CN118742796A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202380022815.7
申请日：2023-07-28
申请人： 国立大学法人东京大学 , Pi-克瑞斯托株式会社
IPC分类号： G01L1/18
摘要： 本发明提供有助于高精度的应变的测定的有机半导体元件、应变仪、测定装置和有机半导体元件的制造方法。应变仪的元件部(12)具备叠层在基板(11)上的有机半导体膜(21)、掺杂剂层(22)、保护层(23)、被膜(24)。在有机半导体膜(21)与掺杂剂层(22)的界面，通过掺杂剂层(22)的掺杂剂而形成了掺杂层(28)。被膜(24)以覆盖有机半导体膜(21)的表面上的掺杂剂层(22)的方式而形成，并且抑制光入射至有机半导体膜(21)和掺杂剂层(22)以及水透过至掺杂剂层(22)。
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公开(公告)号：CN115461415A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202180031352.1
申请日：2021-04-27
申请人： 国立大学法人东京大学 , 株式会社大赛璐
IPC分类号： C08L101/12 , H01B1/12
摘要： 本申请提供一种具有高导电性的导体材料。本公开的导体材料具有将掺杂剂掺杂进在侧链具有含杂原子的电子供给性基团的共轭高分子化合物而成的构成，该掺杂剂包含选自氮阴离子、硼阴离子、磷阴离子、以及锑阴离子中的阴离子和抗衡阳离子。作为所述阴离子，优选下述式(1)所示的阴离子。下述式(1)中，R1、R2相同或不同，表示电子吸引性基团。R1、R2任选地彼此键合而与邻接的氮原子共同形成环。
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公开(公告)号：CN115461415B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202180031352.1
申请日：2021-04-27
申请人： 国立大学法人东京大学 , 株式会社大赛璐
IPC分类号： C08L101/12 , H01B1/12
摘要： 本申请提供一种具有高导电性的导体材料。本公开的导体材料具有将掺杂剂掺杂进在侧链具有含杂原子的电子供给性基团的共轭高分子化合物而成的构成，该掺杂剂包含选自氮阴离子、硼阴离子、磷阴离子、以及锑阴离子中的阴离子和抗衡阳离子。作为所述阴离子，优选下述式(1)所示的阴离子。下述式(1)中，R1、R2相同或不同，表示电子吸引性基团。R1、R2任选地彼此键合而与邻接的氮原子共同形成环。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118140288A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202280071238.6
申请日：2022-10-26
申请人： 国立大学法人东京大学 , 株式会社大赛璐
摘要： 本发明提供耐热性和耐湿性优异的电气或电子器件。本公开的电气或电子器件为具备第一电极层、导体材料层以及第二电极层依次层叠的构成的电气或电子器件，所述导体材料层包含具有在共轭系高分子化合物中掺杂有如下阴离子的构成的导体材料，所述阴离子选自氮阴离子、硼阴离子、磷阴离子以及锑阴离子中。作为所述阴离子，优选为下述式(a‑1)或(a‑2)所示的阴离子。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN112997332A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201980058708.3
申请日：2019-09-03
申请人： 国立大学法人东京大学
IPC分类号： H01L41/193 , H01L29/84 , H01L41/047 , H01L41/113 , H01L41/29 , H01L51/00 , H01L51/30 , G01L1/18
摘要： 本发明提供一种能够以简单的结构得到所希望的电阻的有机半导体元件、应变传感器、振动传感器以及有机半导体元件的制造方法。在振动传感器中，有机半导体元件(14)形成在具有挠性的基板(12)的表面上。有机半导体元件(14)包括将有机半导体的单晶制成膜状而成的有机半导体膜(24)和形成在该有机半导体膜(24)的表面上的掺杂物膜(25)。掺杂物膜(25)形成构成掺杂物膜(25)的掺杂物与有机半导体膜(24)的有机半导体的电荷转移络合物，形成向有机半导体膜(24)的表面注入了载流子的掺杂层(26)。
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