一种中高频模块化多电平换流器死区控制方法

    公开(公告)号:CN107968560A

    公开(公告)日:2018-04-27

    申请号:CN201711361838.3

    申请日:2017-12-18

    IPC分类号: H02M1/38

    摘要: 本发明公开了一种中高频模块化多电平换流器死区控制方法,包括下列步骤:功率系数计算步骤:根据中高频模块化多电平换流器的目标功率,直流侧电压与总负载电阻,确定功率系数m;导通角计算步骤:列出△θ2,△θ3,……至△θN-1关于△θ1的方程组,并令△θN=π,N为该中高频模块化多电平换流器中上半桥子模块或下半桥子模块的个数;△θ1~△θN为导通角,求解该方程组,PWM信号分配步骤:根据该中高频模块化多电平换流器中上半桥子模块或下半桥子模块的死区时间td,选取所述方程组中满足要求的一组解,生成导通角依次为△θ1~△θN的PWM信号;按照逆序法将上述PWM信号依次分配给对应的上半桥子模块和下半桥子模块。

    一种中高频模块化多电平换流器死区控制方法

    公开(公告)号:CN107968560B

    公开(公告)日:2019-12-31

    申请号:CN201711361838.3

    申请日:2017-12-18

    IPC分类号: H02M1/38

    摘要: 本发明公开了一种中高频模块化多电平换流器死区控制方法,包括下列步骤:功率系数计算步骤:根据中高频模块化多电平换流器的目标功率,直流侧电压与总负载电阻,确定功率系数m;导通角计算步骤:列出△θ2,△θ3,……至△θN‑1关于△θ1的方程组,并令△θN=π,N为该中高频模块化多电平换流器中上半桥子模块或下半桥子模块的个数;△θ1~△θN为导通角,求解该方程组,PWM信号分配步骤:根据该中高频模块化多电平换流器中上半桥子模块或下半桥子模块的死区时间td,选取所述方程组中满足要求的一组解,生成导通角依次为△θ1~△θN的PWM信号;按照逆序法将上述PWM信号依次分配给对应的上半桥子模块和下半桥子模块。

    一种直流输电串并联转换器用控制系统中的驱动电路

    公开(公告)号:CN105391274A

    公开(公告)日:2016-03-09

    申请号:CN201510746927.4

    申请日:2015-11-06

    IPC分类号: H02M1/08

    摘要: 本发明公开了一种直流输电串并联转换器用控制系统中的驱动电路,包括PMOS管Q3、NMOS管Q4和变压器T1,PMOS管Q3的基极和NMOS管Q4的基极连电阻R25,变压器T1包括输入线圈L1和输出线圈L2;NMOS管Q4的源极连输入线圈L1的同名端;NMOS管Q4的漏极接输入线圈L1的非同名端;输出线圈L2的同名端连二极管D3的正极,非同名端连二极管D7的正极;二极管D3的负极连二极管D4的正极、二极管D7的负极和NMOS管Q5的基极,NMOS管Q5的漏极连输出线圈L2的非同名端和NMOS管Q6的漏极,二极管D4的负极连肖特基二极管D5的负极和NMOS管Q6的源极,肖特基二极管D5连电阻R26,电阻R26与NMOS管Q6的漏极之间设有电阻R28和肖特基二极管D6。

    一种直流输电串并联转换器用控制系统

    公开(公告)号:CN105226920A

    公开(公告)日:2016-01-06

    申请号:CN201510745929.1

    申请日:2015-11-06

    IPC分类号: H02M1/088

    摘要: 本发明公开了输配电领域的一种直流输电串并联转换器用控制系统,包括:模拟信号预处理模块,用于消除输入信号中的高频毛刺,并将所述输入信号的电平调制为0~3.3V;微控单元,包括相互连接的DSP芯片和复杂可编程逻辑器件,所述DSP芯片上设有第一模数转换模块,连接所述模拟信号预处理模块;所述复杂可编程逻辑器件上设有第二模数转换模块,连接所述模拟信号预处理模块;所述复杂可编程逻辑器件在外部设备和所述DSP芯片之间起到隔离作用,并在对输入其的信号进行逻辑运算后,发送给所述DSP芯片;所述驱动模块:接收来自所述微控单元的控制信号,发出能够驱动IGBT开关管的移相脉宽调制信号,并将所述辅助电源与所述微控单元隔离。

    一种直流输电串并联转换器用控制系统中的驱动电路

    公开(公告)号:CN205105090U

    公开(公告)日:2016-03-23

    申请号:CN201520881058.1

    申请日:2015-11-06

    IPC分类号: H02M1/08

    摘要: 本实用新型公开了一种直流输电串并联转换器用控制系统中的驱动电路,包括PMOS管Q3、NMOS管Q4和变压器T1,PMOS管Q3的基极和NMOS管Q4的基极连电阻R25,变压器T1包括输入线圈L1和输出线圈L2;NMOS管Q4的源极连输入线圈L1的同名端;NMOS管Q4的漏极接输入线圈L1的非同名端;输出线圈L2的同名端连二极管D3的正极,非同名端连二极管D7的正极;二极管D3的负极连二极管D4的正极、二极管D7的负极和NMOS管Q5的基极,NMOS管Q5的漏极连输出线圈L2的非同名端和NMOS管Q6的漏极,二极管D4的负极连肖特基二极管D5的负极和NMOS管Q6的源极,肖特基二极管D5连电阻R26,电阻R26与NMOS管Q6的漏极之间设有电阻R28和肖特基二极管D6。