一种基于绝缘体上硅芯片的高温驱动保护电路

    公开(公告)号:CN106411297B

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201510456744.9

    申请日:2015-07-29

    IPC分类号: H03K17/08

    摘要: 本发明提供了一种基于绝缘体上硅芯片的高温驱动保护电路,包括饱和监测电路,以及依次连接的隔离电路、PWM脉冲调理电路、保护逻辑电路和驱动电路;驱动电路的输出端分别与碳化硅绝缘栅场效应管器件的栅极端子和源极端子连接;饱和监测电路包括第一输入端、第二输入端和输出端;第一输入端与PWM脉冲调理电路的输出端连接,第二输入端与碳化硅绝缘栅场效应管器件的漏极端子连接,输出端分别与隔离电路和保护逻辑电路连接。与现有技术相比,本发明提供的一种基于绝缘体上硅芯片的高温驱动保护电路,充分利用绝缘体上芯片的高温性能,极其适用于高温环境下对于碳化硅绝缘栅场效应管器件的驱动保护。

    一种基于绝缘体上硅芯片的高温驱动保护电路

    公开(公告)号:CN106411297A

    公开(公告)日:2017-02-15

    申请号:CN201510456744.9

    申请日:2015-07-29

    IPC分类号: H03K17/08

    摘要: 本发明提供了一种基于绝缘体上硅芯片的高温驱动保护电路,包括饱和监测电路,以及依次连接的隔离电路、PWM脉冲调理电路、保护逻辑电路和驱动电路;驱动电路的输出端分别与碳化硅绝缘栅场效应管器件的栅极端子和源极端子连接;饱和监测电路包括第一输入端、第二输入端和输出端;第一输入端与PWM脉冲调理电路的输出端连接,第二输入端与碳化硅绝缘栅场效应管器件的漏极端子连接,输出端分别与隔离电路和保护逻辑电路连接。与现有技术相比,本发明提供的一种基于绝缘体上硅芯片的高温驱动保护电路,充分利用绝缘体上芯片的高温性能,极其适用于高温环境下对于碳化硅绝缘栅场效应管器件的驱动保护。