一种高通流ZnO压敏电阻压片的制备方法

    公开(公告)号:CN118184334A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202410293069.1

    申请日:2024-03-14

    摘要: 本发明公开了一种高通流ZnO压敏电阻压片的制备方法,属于压敏电阻领域。本发明制备方法包括压敏电阻压片的原料配制,按照配比取各原料经过球磨混合、喷雾干燥压制成四棱柱胚体,然后进行烧结、磨片工艺得到压片成品。本发明压制成型工艺相较于传统圆柱胚体,使用现有磨片工艺打磨侧面,降低压敏电阻气孔率,均匀性增加,同时解决在涂覆高阻层与绝缘层时同一柱体上部比下部薄均匀性差的问题,大幅提高高阻层的均匀度;涂覆修复层代替传统高阻层工序,修复层体系中去掉了氧化硅、氧化锑等氧化物,降低了烧结过程中生成硅锌矿、锑酸锌等尖晶石物质的生成,使修复介质可以充分修复侧面晶粒与晶界,抑制了侧面闪络现象。

    一种避雷器电阻片侧面釉配方
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113045203A

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN202110030228.5

    申请日:2021-01-11

    IPC分类号: C03C8/16 C03C8/04 H01C7/12

    摘要: 本发明公开了一种避雷器电阻片侧面釉配方,包括氧化铋、氧化锌、氧化锑、氧化钴、松油醇、乙基纤维素,所述氧化铋的含量比例为30%至40%,所述氧化锌的含量为5%至25%,所述氧化锑的含量为8%至23%,所述氧化钴的含量为5%至35%,所述松油醇的含量为15%至35%,所述乙基纤维素的含量为10%至35%。本发明所制得的避雷器电阻片侧面釉,能够很好的使线路避雷器运行过程中的沿面闪络降低,从而提高避雷器的使用寿命。

    一种动作负载试验回路
    5.
    实用新型

    公开(公告)号:CN215180532U

    公开(公告)日:2021-12-14

    申请号:CN202120070542.1

    申请日:2021-01-12

    IPC分类号: G01R31/00 G01R31/12

    摘要: 本实用新型公开了一种动作负载试验回路,包括点火放电球隙、直流充电回路、高压线缆、真空开关组、功耗仪、试验样品、移相点火器、PLC控制柜,所述直流充电回路的一端与点火放电球隙的一端连接,所述点火放电球隙的另一端与高压线缆、试验样品的一端连接,所述高压线缆的另一端与去耦电感的一端连接,所述去耦电感的另一端与真空开关组连接,所述真空开关组分别与多路工频试验回路连接,所述点火放电球隙的控制端与移相点火器连接。本实用新型雷电放电电流和操作放电电流并采用同一充电回路,并且现有的动作负载试验装置的安全性能好、能测量雷电放电电流和操作放电电流,也能对各个工频回路的功耗进行测量。

    一种氧化锌压敏电阻超细研磨的制备装置

    公开(公告)号:CN216094119U

    公开(公告)日:2022-03-22

    申请号:CN202120070495.0

    申请日:2021-01-12

    摘要: 本实用新型公开了一种氧化锌压敏电阻超细研磨的制备装置,包括支撑架、进料装置和精细研磨装置,所述支撑架的顶部安装有固定轴,且固定轴的外部安装有外壳,并且外壳的外部安装有固定环,所述进料装置安装于外壳的内部,且外壳的外壁安装有轮齿,并且外壳的内壁安装有过滤层,所述精细研磨装置安装于固定轴的外壁。该氧化锌压敏电阻超细研磨的制备装置通过进料装置,将原料通过进料装置内的进料口投入研磨制备装置内部,当研磨装置开设的进料口移动到正上方时,外壳的进料口与固定环的进料口重贴,可以向研磨制备装置进行投放原料,使原料的重量推动进料板向下移动,使进料板尾部的限位块移动,方便研磨制备装置进料。

    一种深度限制电力系统过电压的低残压避雷器

    公开(公告)号:CN215221723U

    公开(公告)日:2021-12-17

    申请号:CN202120070509.9

    申请日:2021-01-12

    IPC分类号: H02H9/04

    摘要: 本实用新型公开了一种深度限制电力系统过电压的低残压避雷器,包括固定避雷器、受控避雷器、晶闸管开关、电压测量电路、三极管电路,所述固定避雷器与受控避雷器串联,所述晶闸管开关与受控避雷器并联,所述电压测量电路与固定避雷器并联,所述三极管电路与晶闸管开关控制端连接。本实用新型能够快速将操作过电压限制到较低水平,避雷器容易动作,过电压限制效果好,还设置多重保护,避免电压过大而损坏电压表、三极管等元器件,从而提高元器件的使用寿命,并其安全性能好。

    电子束辐射改性制备高残碳聚丙烯腈或聚甲基丙烯腈及其共聚物的方法

    公开(公告)号:CN101698707A

    公开(公告)日:2010-04-28

    申请号:CN200910216062.5

    申请日:2009-10-30

    申请人: 四川大学

    摘要: 本发明公开了一种电子束辐射改性制备高残碳聚丙烯腈或聚甲基丙烯腈及其共聚物的方法,其特点是将聚丙烯腈或聚甲基丙烯腈及其共聚物置于照射室中,于温度-80~100℃,采用低能或中能或高能电子束进行辐射,其中低能电子束的能量为0.15~0.5 MeV,中能电子束的能量为0.5~5MeV,高能电子束的能量为5~10MeV,辐射剂量为5~2000kGy。经电子束辐射后的聚丙烯腈或聚甲基丙烯腈及其共聚物的分子链间或链内形成一定的交联和环化,抑制预氧化过程中分子链的断链和分解,减少材料缺陷,获得的聚丙烯腈或聚甲基丙烯腈及其共聚物的残碳率为50~73wt%。