公开(公告)号：CN116015073A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202310005528.7

申请日：2023-01-04

Applicant: 国网重庆市电力公司电力科学研究院 ,  国网重庆市电力公司 ,  重庆大学 ,  国家电网有限公司

Inventor： 李永福 ,  廖庆龙 ,  夏磊 ,  刘佳 ,  王谦 ,  印华 ,  赵俊光 ,  舒逊 ,  向洪 ,  岳鑫桂 ,  谢松 ,  王大彪 ,  曾正 ,  吴晓东 ,  黄飞 ,  戴健 ,  刘志宏 ,  李鑫 ,  杨群英 ,  宋俊伟 ,  邹铭锐

IPC: H02M5/293 ,  H02M1/088 ,  H02M1/32 ,  H02M1/38

Abstract: 本发明提供了一种低电压补偿装置和交流电路调制方式，装置包括：输入电感L、开关管S11、开关管S12、开关管S21、开关管S22和输出电容C；所述开关管S11和开关管S12串联组成第一双向关断开关；开关管S21和开关管S22串联组成第二双向关断开关；输入电源的一端与输入电感L的一端相连，输入电感的另一端分别与第一双向关断开关的一端和第二双向关断开关的一端相连；所述第一双向关断开关的另一端分别与输入电源的另一端和负载的一端相连；所述第二双向关断开关的另一端与负载的另一端相连；输出电容C并联于负载的两端。采用上述低电压补偿装置对交流电路进行调制，采用互补的PWM波对电路进行调制，所述调制方式包括正向调制、反向调制和换向调制。

公开(公告)号：CN117543500A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311503219.9

申请日：2023-11-13

Applicant: 国网重庆市电力公司电力科学研究院 ,  国网重庆市电力公司 ,  重庆大学 ,  国家电网有限公司

Inventor： 廖庆龙 ,  李永福 ,  夏磊 ,  王谦 ,  印华 ,  宋俊伟 ,  曾正 ,  赵俊光 ,  陈咏涛 ,  舒逊 ,  向洪 ,  岳鑫桂 ,  吴晓东 ,  宋伟 ,  宫林 ,  李俊杰 ,  黄飞 ,  戴健 ,  谢松

IPC: H02H3/10 ,  H02H3/20 ,  H02H3/24 ,  H02J3/12

Abstract: 本发明公开了一种电压治理装置的控制方法及相关组件，涉及自动控制领域，包括采集当前时刻的电力用户的入户侧电压及电压治理装置对入户侧电压放大后输出给用户的输出电压；根据目标输出电压及输出电压调整下一时刻电压治理装置对入户侧电压的放大倍数；在所述入户侧电压超过电压上限阈值、所述入户侧电压低于电压下限阈值或所述入户侧电流超过电流阈值时，控制电压治理装置停止运行。根据当前时刻的输出电压调整下一时刻的输出电压，使每一时刻的输出电压和目标电压的差值都小于预设差值，避免根据多个固定的档位对入户侧电压的放大导致输出至用户的输出电压过大或过小，不满足用户的需求，同时实现欠压、过压及过流保护，减少出现故障的可能。

公开(公告)号：CN118866886A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410898498.1

申请日：2024-07-05

Applicant: 重庆大学

Inventor： 曾正 ,  蒋冬君 ,  牛富丽 ,  邹铭锐 ,  宋俊伟 ,  梁钰茜 ,  张健宁

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/538 ,  H01L23/49 ,  H01L23/34

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅双向开关半桥功率模块，属于半导体器件技术领域。该双向开关半桥功率模块包括模块外壳、DBC、焊接在DBC上的碳化硅双向开关单元、功率端子、信号端子、温敏电阻；该碳化硅双向开关功率模块采用半桥结构，半桥结构由两个双向开关单元组成，每一个双向开关单元由两组碳化硅MOSFET共漏极连接构成。该双向开关半桥电路集成在一块DBC上，通过键合线连接碳化硅芯片和DBC的各导电区域，构成双向开关单元和半桥结构，并引出相应的功率端子和信号端子。本发明实现了对电流的双向导通和双向阻断，并且封装为双向开关半桥结构，提高了可靠性，减小了寄生电感，提高了功率密度，降低了功率模块的寄生电感。