公开(公告)号：CN102498560A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080040789.3

申请日：2010-08-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·罗斯纳格尔 ,  C-C·杨 ,  D·埃德尔斯坦 ,  野上毅

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76871 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76868 ,  H01L21/76883

Abstract: 提供了一种具有降低的电阻的互连结构和一种形成这样的互连结构的方法。所述互连结构包括介电材料(24)，所述介电材料(24)包括在其中的至少一个开口。所述至少一个开口被填充有可选的阻挡扩散层(30)、晶粒生长促进层(32)、凝聚的镀敷籽晶层(34’)、可选的第二镀敷籽晶层和导电结构(38)。包括包含金属的导电材料(典型地为Cu)的所述导电结构具有竹节微结构和大于0.05微米的平均晶粒尺寸。在一些实施例中，所述导电结构包括具有(111)晶向的导电晶粒。

公开(公告)号：CN103189305B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201180052447.8

申请日：2011-08-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·S·瓦格纳 ,  S·哈雷尔 ,  S·罗斯纳格尔

IPC: B81C1/00

CPC classification number: C25D11/022 ,  B81C1/00071 ,  B81C2201/0114 ,  C25D7/04 ,  C25D11/26 ,  C25D11/34

Abstract: 通过使用反馈系统，以受控方式闭合或打开诸如纳米沟道和纳米孔的纳米流体通路。在存在电解质的通路内生长或去除氧化物层，直到通路达到选定尺寸或者通路被闭合。在制造期间测量纳米流体通路的尺寸变化。流过通路的离子电流水平可被用来确定通路尺寸。可通过对元件之间的流体通路的选择性氧化而控制流过流体元件的阵列的流体流。

公开(公告)号：CN102905788A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180025374.3

申请日：2011-06-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·栾 ,  G·J·马蒂娜 ,  D·纽恩斯 ,  S·波隆斯基 ,  G·A·斯托洛维基 ,  H·彭 ,  S·罗斯纳格尔 ,  S·哈雷尔 ,  A·阿夫扎利-阿尔达卡尼

IPC: B01L3/00 ,  B03C5/02 ,  C12Q1/68 ,  G01N33/487 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: G01N27/44756 ,  B01L3/502761 ,  B01L2200/0663 ,  B01L2300/0645 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2300/0896 ,  B01L2400/0421 ,  B01L2400/0424 ,  B82Y15/00 ,  G01N27/447 ,  G01N27/44791 ,  G01N33/48721

Abstract: 纳米流体场效应装置包括具有第一面和第二面的通道、与所述第一面邻近的第一组电极、与所述第二面邻近的第二组电极、用于对所述电极施加电位的控制单元以及所述通道内的包含带电分子的流体。所述第一组电极被设置为使得：电位的施加产生空间上变化的电场，该电场将带电分子限制在所述通道的预定区域内。所述第二组电极被设置为使得：相对于对所述第一组电极施加的所述电位的电位的施加产生这样的电场，该电场将所述带电分子限制到远离所述通道的所述第二面的区域。

公开(公告)号：CN103189305A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201180052447.8

申请日：2011-08-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·S·瓦格纳 ,  S·哈雷尔 ,  S·罗斯纳格尔

IPC: B81C1/00

CPC classification number: C25D11/022 ,  B81C1/00071 ,  B81C2201/0114 ,  C25D7/04 ,  C25D11/26 ,  C25D11/34

Abstract: 通过使用反馈系统，以受控方式闭合或打开诸如纳米沟道和纳米孔的纳米流体通路。在存在电解质的通路内生长或去除氧化物层，直到通路达到选定尺寸或者通路被闭合。在制造期间测量纳米流体通路的尺寸变化。流过通路的离子电流水平可被用来确定通路尺寸。可通过对元件之间的流体通路的选择性氧化而控制流过流体元件的阵列的流体流。

公开(公告)号：CN101395720A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200780007826.9

申请日：2007-03-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·小卡布拉尔 ,  H·德利吉安尼 ,  R·F·克纳尔 ,  S·G·马尔霍特拉 ,  S·罗斯纳格尔 ,  邵晓燕 ,  A·托波尔 ,  P·M·韦雷肯

IPC: H01L29/02

CPC classification number: H01L23/485 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53252 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种接触冶金结构，包括在衬底上的具有腔的构图的介质层；位于所述腔的底部处的例如钴和/或镍的硅化物或锗化物层；包括Ti或Ti/TiN的接触层，位于所述介质层的顶部上和所述腔内并接触所述底部上的所述硅化物或锗化物层；位于所述接触层的顶部上和所述腔内的扩散阻挡层；位于所述阻挡层的顶部上的用于镀敷的可选的籽晶层；使用制造方法在过孔内提供金属填充层。使用选自铜、铑、钌、铱、钼、金、银、镍、钴、银、金、镉和锌及其合金中的至少一种电淀积所述金属填充层。当所述金属填充层是铑、钌、或铱时，在所述填充金属与所述介质之间不需要有效的扩散阻挡层。当所述阻挡层为可镀敷的时，例如钌、铑、铂、或铱，不需要所述籽晶层。