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公开(公告)号：CN111244237A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010043536.7
申请日：2020-01-15
申请人： 圆融光电科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种紫外LED外延结构及其生长方法，该外延结构包括多量子阱结构，多量子阱结构由下至上依次包括电子减速层、前置发光层以及后置发光层；其中，电子减速层包括至少一组由势阱层InaGa1-aN和势垒层AlxGa1-xN层叠设置而成的第一量子阱结构，前置发光层包括至少一组由势阱层InbGa1-b和势垒层AlyGa1-yN层叠设置而成的第二量子阱结构，后置发光层包括至少一组由势阱层IncGa1-cN和势垒层AlzGa1-zN层叠设置而成的第三量子阱结构，0.01
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公开(公告)号：CN111244237B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202010043536.7
申请日：2020-01-15
申请人： 圆融光电科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种紫外LED外延结构及其生长方法，该外延结构包括多量子阱结构，多量子阱结构由下至上依次包括电子减速层、前置发光层以及后置发光层；其中，电子减速层包括至少一组由势阱层InaGa1‑aN和势垒层AlxGa1‑xN层叠设置而成的第一量子阱结构，前置发光层包括至少一组由势阱层InbGa1‑b和势垒层AlyGa1‑yN层叠设置而成的第二量子阱结构，后置发光层包括至少一组由势阱层IncGa1‑cN和势垒层AlzGa1‑zN层叠设置而成的第三量子阱结构，0.01
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