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公开(公告)号：CN105849043B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201480071588.8
申请日：2014-12-17
Applicant: 埃克森美孚研究工程公司
Inventor： I·D·约翰逊 , T·W·比特尔 , P·I·拉维科维奇 , H·W·戴克曼 , J·W·约翰逊 , J·W·贝克曼 , N·A·法斯班德尔 , N·A·赫利岑科 , R·J·斯迈利
CPC classification number: B01J20/3078 , B01D53/02 , B01D2253/108 , B01D2256/245 , B01D2257/304 , B01D2257/504 , B01J20/18 , B01J20/186 , B01J20/282 , B01J20/30 , B01J20/3085 , B01J29/035 , B01J29/70 , B01J2220/80 , B01J2229/36 , B01J2229/40 , C01B37/02 , C01B39/026 , C01B39/04 , C01B39/48 , Y02C10/08 , Y02P20/152
Abstract: 提供了合成具有改进(降低)的晶体缺陷水平的ZSM‑58晶体的方法，所述改进体现为气态吸附物的改进(降低)的扩散率。通过控制ZSM‑58晶体合成过程中的条件，可以生成具有窄粒度分布的有用尺寸的晶体。另外，通过控制合成混合物中水含量与二氧化硅含量的比率，已经意外地发现，可以形成具有改进的形态的ZSM‑58晶体。改进的形态可产生在晶体的各维度间具有更均匀尺寸的ZSM‑58晶体，这能在晶体内实现更均匀的扩散。这不同于传统上合成的晶体，其中晶体尺寸可沿晶体的不同轴改变。此外，通过引入具有更大平均尺寸、更均匀粒度分布和改进的形态的ZSM‑58晶体的合成后处理，可以重组、除去和/或最小化在合成过程中引入或锁定的任何结晶缺陷。
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公开(公告)号：CN105849043A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480071588.8
申请日：2014-12-17
Applicant: 埃克森美孚研究工程公司
Inventor： I·D·约翰逊 , T·W·比特尔 , P·I·拉维科维奇 , H·W·戴克曼 , J·W·约翰逊 , J·W·贝克曼 , N·A·法斯班德尔 , N·A·赫利岑科 , R·J·斯迈利
CPC classification number: B01J20/3078 , B01D53/02 , B01D2253/108 , B01D2256/245 , B01D2257/304 , B01D2257/504 , B01J20/18 , B01J20/186 , B01J20/282 , B01J20/30 , B01J20/3085 , B01J29/035 , B01J29/70 , B01J2220/80 , B01J2229/36 , B01J2229/40 , C01B37/02 , C01B39/026 , C01B39/04 , C01B39/48 , Y02C10/08 , Y02P20/152
Abstract: 提供了合成具有改进(降低)的晶体缺陷水平的ZSM?58晶体的方法，所述改进体现为气态吸附物的改进(降低)的扩散率。通过控制ZSM?58晶体合成过程中的条件，可以生成具有窄粒度分布的有用尺寸的晶体。另外，通过控制合成混合物中水含量与二氧化硅含量的比率，已经意外地发现，可以形成具有改进的形态的ZSM?58晶体。改进的形态可产生在晶体的各维度间具有更均匀尺寸的ZSM?58晶体，这能在晶体内实现更均匀的扩散。这不同于传统上合成的晶体，其中晶体尺寸可沿晶体的不同轴改变。此外，通过引入具有更大平均尺寸、更均匀粒度分布和改进的形态的ZSM?58晶体的合成后处理，可以重组、除去和/或最小化在合成过程中引入或锁定的任何结晶缺陷。
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