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1.

发明公开
用于产生电子束的电子源无效

公开(公告)号：CN114521282A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202080067855.X

申请日：2020-07-31

Applicant: 埃朗根-纽伦堡弗里德里希·亚历山大大学

Inventor： H·韦伯 , M·克里格 , C·奥特

IPC: H01J3/02 , H01J35/02

Abstract: 本发明涉及一种用于产生电子束(8)的电子源(2)，其具有由碳化硅衬底(5)外延生长的以石墨烯层(6,12)形式的阴极(1)和阳极(4)。本发明适用于小型化高能聚焦电子束源的整体制备，包括其用作片上X射线源。所有元件都可以由单个碳化硅芯片或在单个碳化硅芯片上制备。

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