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公开(公告)号：CN115768929A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202180047557.9
申请日：2021-06-24
Applicant: 埃朗根-纽伦堡弗里德里希-亚历山大大学
Inventor： P·韦尔曼
IPC: C30B23/02
Abstract: 本发明涉及一种晶体生长单元，其包含用于生产和/或扩大单晶(4)的坩埚。所述晶体生长单元包括具有第一热导率的第一隔热体(5)和具有第二热导率的第二隔热体(12)。所述坩埚具有坩埚底、坩埚侧壁和坩埚盖。坩埚侧壁间接或直接被第一隔热体(5)包围。第二隔热体(12)间接或直接布置在坩埚盖上方。第二热导率高于第一热导率。
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